| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| ·GaAs的基本特性和基本结构 | 第7-8页 |
| ·国内外最新研究进展 | 第8-10页 |
| ·计算材料学与材料设计 | 第10-12页 |
| ·本课题研究的目的和研究意义 | 第12-14页 |
| 第二章 基本理论和研究方法 | 第14-26页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第14-15页 |
| ·密度泛函理论 | 第15-21页 |
| ·赝势平面波方法 | 第21-23页 |
| ·半导体的能带结构及态密度 | 第23-26页 |
| 第三章 理想GaAs电子结构及性质的理论计算 | 第26-38页 |
| ·计算方法与理论模型 | 第26-27页 |
| ·计算结果与分析 | 第27-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 外压调制下GaAs电子结构与光学性质计算 | 第38-48页 |
| ·外压调制下GaAs电子结构的计算 | 第38-43页 |
| ·外压调制下GaAs光学性质的计算 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 结论与展望 | 第48-50页 |
| ·论文所完成的工作 | 第48页 |
| ·论文存在的问题以及将来的工作 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 硕士期间研究成果 | 第56-57页 |