Na相关掺杂及N掺杂p型ZnO薄膜的制备和性能研究
| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-29页 |
| ·ZnO的结构与性质 | 第14-21页 |
| ·ZnO的晶体结构与基本性质 | 第14-17页 |
| ·ZnO的能带结构 | 第17-19页 |
| ·ZnO的光学性能 | 第19-21页 |
| ·ZnO的形态与制备技术 | 第21-23页 |
| ·ZnO体单晶 | 第21页 |
| ·ZnO薄膜 | 第21-22页 |
| ·ZnO纳米结构 | 第22-23页 |
| ·ZnO材料的研究热点与进展 | 第23-27页 |
| ·ZnO薄膜p型掺杂研究及进展 | 第23-26页 |
| ·Ⅴ族元素作为掺杂源 | 第23-25页 |
| ·Ⅰ族元素作为掺杂源 | 第25-26页 |
| ·ZnO纳米材料的研究及进展 | 第26-27页 |
| ·ZnO的应用 | 第27-29页 |
| 第三章 Na相关掺杂的p型ZnO薄膜 | 第29-55页 |
| ·生长设备、制备工艺及性能表征 | 第29-35页 |
| ·生长设备 | 第29-32页 |
| ·脉冲激光沉积原理 | 第29-30页 |
| ·脉冲激光沉积薄膜生长实验系统 | 第30-32页 |
| ·制备工艺 | 第32-34页 |
| ·靶材的制备 | 第32-33页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第33-34页 |
| ·性能表征 | 第34-35页 |
| ·Li、Na共掺杂的p型ZnO薄膜 | 第35-46页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·Li、Na共掺杂的p-ZnO:衬底温度的影响 | 第35-42页 |
| ·薄膜样品制备 | 第35-36页 |
| ·衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第36-39页 |
| ·衬底温度对薄膜结晶质量的影响 | 第39-40页 |
| ·衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第40-42页 |
| ·Li、Na共掺杂的p-ZnO:生长氧压的影响 | 第42-44页 |
| ·薄膜样品制备 | 第42-43页 |
| ·生长氧压对薄膜电学性能的影响 | 第43-44页 |
| ·Li、Na共掺杂法制备p-ZnO可行性分析 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| ·Na掺杂的p型ZnO薄膜 | 第46-54页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·Na掺杂的p-ZnO:激光能量的影响 | 第46-53页 |
| ·薄膜样品制备 | 第46-47页 |
| ·激光能量对薄膜电学性能的影响 | 第47-49页 |
| ·激光能量对薄膜结晶质量的影响 | 第49-51页 |
| ·激光能量对薄膜光学性能的影响 | 第51-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 N掺杂的p型ZnO薄膜 | 第55-67页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·生长设备、制备工艺及性能表征 | 第55-59页 |
| ·生长设备 | 第55-57页 |
| ·MOCVD的基本原理 | 第55-56页 |
| ·实验设备 | 第56-57页 |
| ·制备工艺 | 第57-58页 |
| ·实验原料 | 第57-58页 |
| ·实验工艺过程 | 第58页 |
| ·性能表征 | 第58-59页 |
| ·N掺杂的p-ZnO:衬底温度的影响 | 第59-64页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第59页 |
| ·衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第59-61页 |
| ·衬底温度对薄膜结晶性能的影响 | 第61-63页 |
| ·衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第63-64页 |
| ·N掺杂ZnO薄膜高度补偿现象分析 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-78页 |
| 作者简历 | 第78页 |
