| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 1. 引言 | 第11-13页 |
| 2. 绪论 | 第13-29页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第13-15页 |
| ·材料的磁性 | 第15-18页 |
| ·材料磁性的微观机理 | 第15-16页 |
| ·材料磁性的分类 | 第16-18页 |
| ·磁滞回线 | 第18页 |
| ·稀磁半导体材料 | 第18-25页 |
| ·稀磁半导体的特性 | 第19-22页 |
| ·ZnO基稀磁半导体材料的研究进展 | 第22-25页 |
| ·稀磁半导体材料的制备方法 | 第25-27页 |
| ·稀磁半导体材料的研究进展 | 第27-29页 |
| 3. 实验原理和实验过程 | 第29-41页 |
| ·脉冲激光沉积技术(PLD) | 第29-31页 |
| ·脉冲激光沉积的基本原理 | 第31-35页 |
| ·PLD技术优缺点 | 第35页 |
| ·实验工艺过程 | 第35-37页 |
| ·靶材的制备 | 第35页 |
| ·衬底及清洗 | 第35-36页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第36-37页 |
| ·样品的测试与表征 | 第37-41页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第37-38页 |
| ·场发射扫描电镜(FE-SEM) | 第38页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第38-39页 |
| ·同步辐射 | 第39页 |
| ·超导量子干涉仪测试(SQUID) | 第39-41页 |
| 4. Ni掺杂ZnO薄膜的制备与表征 | 第41-53页 |
| ·生长室氧压对薄膜性能的影响 | 第41-46页 |
| ·形貌分析 | 第41-42页 |
| ·成分分析 | 第42-43页 |
| ·结构分析 | 第43-44页 |
| ·光学性能分析 | 第44-46页 |
| ·电学性能分析 | 第46页 |
| ·靶材中的Ni含量对Ni掺杂ZnO薄膜性能的影响 | 第46-53页 |
| ·靶材中的Ni含量对Ni掺杂ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| ·靶材中的Ni含量对Ni掺杂ZnO薄膜结构的影响 | 第48-50页 |
| ·靶材中的Ni含量对Ni掺杂ZnO薄膜光学性能的影响 | 第50-51页 |
| ·靶材中的Ni含量对Ni掺杂ZnO薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| ·磁学性能分析 | 第52-53页 |
| 5. 受主和施主元素对ZnNiO薄膜铁磁性的影响 | 第53-68页 |
| ·Zn(Ni,Ga)O薄膜的制备与表征 | 第53-59页 |
| ·Zn(Ni,Ga)O薄膜的制备 | 第53页 |
| ·Zn(Ni,Ga)O薄膜的表面形貌和成分分析 | 第53-54页 |
| ·薄膜的晶体结构分析 | 第54-57页 |
| ·薄膜的电学和光学性能分析 | 第57-59页 |
| ·薄膜的磁学性能分析 | 第59页 |
| ·Zn(Ni,Na)O薄膜制备与性能研究 | 第59-63页 |
| ·Zn(Ni,Na)O薄膜的形貌分析 | 第60页 |
| ·Zn(Ni,Na)O薄膜的结构分析 | 第60-62页 |
| ·Zn(Ni,Na)O薄膜的电学和磁性分析 | 第62-63页 |
| ·不同p型增强稀磁半导体薄膜对比 | 第63-66页 |
| ·导电类型对薄膜磁性的影响 | 第66-68页 |
| 6 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第76页 |
