首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--化合物半导体论文

半导体金属氧化物(ZnO,ZnSnO3)纳米材料的合成及其气敏性能研究

提要第1-8页
第一章 半导体氧化物ZnO和ZnSnO_3及气敏传感器概述第8-32页
 引言第8-9页
   ·半导体金属氧化物ZnO第9-19页
     ·简介第9-10页
     ·ZnO的基本性质第10-12页
     ·ZnO纳米材料的制备与应用研究进展第12-19页
   ·三元复合金属氧化物ZnSnO_3第19-24页
     ·简介第19-20页
     ·ZnSnO_3的基本结构与性质第20-21页
     ·ZnSnO_3的合成与应用研究进展第21-24页
   ·半导体金属氧化物气体传感器第24-28页
     ·半导体气体传感器的分类与特点第25-27页
     ·半导体金属氧化物的气敏机理第27-28页
   ·当前ZnO与ZnSnO_3在气体传感领域的研究热点第28-29页
   ·本论文的意义和目的第29页
   ·本论文的主要内容与章节安排第29-32页
第二章 核-壳结构Cu-Zn/ZnO纳米颗粒的制备及气敏特性第32-44页
 引言第32页
   ·核-壳结构Cu-Zn/ZnO纳米颗粒的合成与表征第32-38页
     ·Cu-Zn纳米颗粒的电爆炸法合成及制备机理第32-34页
     ·核-壳结构Cu-Zn/ZnO纳米颗粒的合成及表征第34-38页
   ·核-壳结构Cu-Zn/ZnO纳米材料气敏特性研究第38-43页
     ·旁热式气敏元件的制作及气敏性质测试第38-39页
     ·气敏性质及敏感机理第39-43页
   ·本章小结第43-44页
第三章 若干花状ZnO纳米材料的合成及气敏性质第44-74页
 引言第44页
   ·花状ZnO纳米结构第44-55页
     ·实验部分第44-45页
     ·结果与讨论第45-55页
   ·聚集的花状ZnO纳米结构第55-62页
     ·实验部分第55页
     ·结果与讨论第55-62页
   ·Ti掺杂的花状ZnO纳米结构第62-71页
     ·实验部分第63页
     ·结果与讨论第63-71页
   ·本章小结第71-74页
第四章 榛子状ZnO微晶体的合成、形成机理及气敏性质第74-87页
 引言第74页
   ·合成与表征第74页
   ·结果与讨论第74-86页
     ·榛子状ZnO微晶的结构与形貌第74-78页
     ·水热合成时间对ZnO产物的影响第78-79页
     ·榛子状ZnO微晶的生长机理及室温PL光谱第79-84页
     ·榛子状ZnO微晶的乙醇敏感特性第84-86页
   ·本章小结第86-87页
第五章 空心立方ZnSnO_3纳米结构的合成与气敏性质第87-104页
 引言第87页
   ·ZnSnO_3空心立方笼子与框架结构的合成、形成机制及气敏特性第87-94页
     ·合成与表征第87-88页
     ·结果与讨论第88-94页
   ·分等级笼状ZnSnO_3纳米结构的水热合成、形成机理及气敏特性第94-102页
     ·合成与表征第94-95页
     ·结果与讨论第95-102页
   ·本章小结第102-104页
第六章 总结第104-109页
参考文献第109-120页
攻读博士学位期间发表的论文第120-123页
中文摘要第123-126页
ABSTRACT第126-130页
致谢第130-131页
作者简历第131页

论文共131页,点击 下载论文
上一篇:新型TFT结构设计与电特性研究
下一篇:高功率半导体激光器及其阵列的导数检测