基于FTIR技术的4H-SiC同质外延材料的测试
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·FTIR 技术究意义 | 第7页 |
| ·SIC 外延材料测试的重要性 | 第7-9页 |
| ·常用测试技术及其发展现状 | 第9-11页 |
| ·常用表征技术 | 第9页 |
| ·FTIR 技术的应用现状 | 第9-10页 |
| ·存在问题 | 第10-11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 薄膜反射理论及其影响因素 | 第13-27页 |
| ·基本反射理论 | 第13-19页 |
| ·单层膜反射理论 | 第13-16页 |
| ·反射和折射的相位特性 | 第16-18页 |
| ·反射率和透射率 | 第18-19页 |
| ·介电常数理论 | 第19-21页 |
| ·晶格声子贡献 | 第19-20页 |
| ·等离子体振子 | 第20-21页 |
| ·红外反射谱的影响因素 | 第21-25页 |
| ·厚度因素 | 第21-22页 |
| ·声子衰减系数的影响 | 第22-23页 |
| ·自由载流子浓度的影响 | 第23-24页 |
| ·表面粗糙度的影响 | 第24-25页 |
| ·界面缓冲层的影响 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 新的厚度测试方法 | 第27-41页 |
| ·常用测试方法 | 第27-29页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| ·缺陷法 | 第28-29页 |
| ·红外干涉法测厚的改进算法 | 第29-37页 |
| ·传统测试方法及其不足之处 | 第29-33页 |
| ·附加相移的推导 | 第33-35页 |
| ·改进的红外干涉法 | 第35-37页 |
| ·新的拟合算法推导 | 第37-40页 |
| ·曲线拟合 | 第38-39页 |
| ·线性拟合 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 实验和结果分析 | 第41-51页 |
| ·反射谱的获取 | 第41-43页 |
| ·测试结果及其分析 | 第43-49页 |
| ·红外干涉法 | 第43-47页 |
| ·拟合算法 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 FTIR 技术的其它应用 | 第51-63页 |
| ·4H-SIC 红外反射谱全域拟合 | 第51-56页 |
| ·3C-SIC 红外反射谱全域拟合 | 第56-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第六章 结束语 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 硕士期间参加课题 | 第71-73页 |
| 附录 A 外延层厚度的计算 | 第73-77页 |
| 附录 B 全域拟合程序 | 第77-81页 |
