等离子体浸没注入技术对半导体材料的改性研究
| 目录 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-16页 |
| ·等离子体浸没注入历史 | 第8-9页 |
| ·等离子体浸没设备简介 | 第9-12页 |
| ·PⅢ射频源系统 | 第10页 |
| ·PⅢ真空系统 | 第10-11页 |
| ·PⅢ高压系统 | 第11-12页 |
| ·等离子体浸没注入应用 | 第12-15页 |
| ·PⅢ在冶金学上的应用 | 第13-14页 |
| ·PⅢ对生物高分子材料的改性 | 第14页 |
| ·PⅢ在集成电路制备方面的应用 | 第14-15页 |
| ·等离子浸没注入技术的缺陷 | 第15页 |
| ·本论文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 Pill剂量标定方法改进研究 | 第16-34页 |
| ·基于Child-Law理论的推导模型 | 第16-19页 |
| ·Child-Langmuir公式 | 第16-17页 |
| ·基于Child-Law的剂量标定模型 | 第17-19页 |
| ·基于电流测量的离子剂量标定方法 | 第19-21页 |
| ·氮气等离子体的PⅢ剂量标定实验结果探讨 | 第21-29页 |
| ·脉冲电压变化的模型探讨 | 第21-23页 |
| ·脉冲宽度变化的模型探讨 | 第23-27页 |
| ·脉冲频率变化的模型探讨 | 第27-29页 |
| ·其他气体源等离子体的PⅢ剂量标定 | 第29-32页 |
| ·氩气等离子体的PⅢ剂量标定 | 第29-30页 |
| ·氧气等离子体的PⅢ剂量标定 | 第30-32页 |
| ·不同气体PⅢ剂量CMM标定结果 | 第32页 |
| ·小结 | 第32-34页 |
| 第三章 PⅢ制备p型ZnO薄膜材料的研究 | 第34-52页 |
| ·ZnO材料属性及研究现状 | 第34-36页 |
| ·ZnO材料的结构和属性 | 第34-35页 |
| ·ZnO材料中的载流r | 第35-36页 |
| ·ZnO材料的研究进展 | 第36页 |
| ·ZnO薄膜材料PLD制备和PⅢ掺杂 | 第36-38页 |
| ·脉冲激光沉积生长ZnO薄膜 | 第36-38页 |
| ·PⅢ氮注入ZnO实验 | 第38页 |
| ·ZnO薄膜材料的退火实验 | 第38页 |
| ·ZnO注氮薄膜材料的性能研究 | 第38-44页 |
| ·ZnO注氮薄膜的样品准备 | 第38-40页 |
| ·ZnO薄膜的性能表征 | 第40-44页 |
| ·附录:原位生长掺杂制备p型ZnO的研究 | 第44-50页 |
| ·ZnO掺磷薄膜材料的制备 | 第44-45页 |
| ·ZnO掺磷薄膜材料的表征研究 | 第45-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 第四章 PⅢ制备SOI材料埋层缺陷研究 | 第52-65页 |
| ·SOI材料的研究现状 | 第52-55页 |
| ·SOI材料概述 | 第52页 |
| ·SOI材料制备工艺 | 第52-54页 |
| ·SOI材料新型应用 | 第54-55页 |
| ·PⅢ的SIMOX工艺模拟 | 第55-64页 |
| ·样品材料制备 | 第55-57页 |
| ·样品材料的SEM表征 | 第57-59页 |
| ·样品的拉曼光谱表征 | 第59-60页 |
| ·样品的荧光光谱测试 | 第60-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第五章 论文总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
