| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-23页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·半导体物理基础 | 第8-10页 |
| ·半导体的能带 | 第8-9页 |
| ·霍尔效应 | 第9页 |
| ·费米能级与Burstein-Moss 效应 | 第9-10页 |
| ·CDO 薄膜的基本特性 | 第10-12页 |
| ·CdO 薄膜的结构特性 | 第10-11页 |
| ·CdO 薄膜的电学特性 | 第11页 |
| ·CdO 薄膜的光学特性 | 第11页 |
| ·CdO 薄膜的气敏特性 | 第11-12页 |
| ·CDO 薄膜的研究现状 | 第12-15页 |
| ·CdO 薄膜的掺杂特性 | 第12-14页 |
| ·CdO 薄膜的应用前景 | 第14-15页 |
| ·CDO 薄膜的制备方法 | 第15-18页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第15-16页 |
| ·磁控溅射(Magnetron sputtering) | 第16页 |
| ·真空蒸镀法(Vacuum evaporation) | 第16-17页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOVCD) | 第17页 |
| ·喷雾热分解(Spray pyrolysis) | 第17页 |
| ·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第17-18页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第18页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD）技术 | 第18-21页 |
| ·PLD 技术的原理及物理过程 | 第18-20页 |
| ·PLD 技术的特点 | 第20-21页 |
| ·本文研究背景及内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验内容及性能表征 | 第23-28页 |
| ·实验材料 | 第23-24页 |
| ·实验材料 | 第23页 |
| ·实验材料的前处理 | 第23-24页 |
| ·实验设备 | 第24-25页 |
| ·实验方案 | 第25页 |
| ·薄膜的组织结构和光电性能表征 | 第25-28页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)及能谱(EDS) | 第26页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第26-27页 |
| ·霍尔测试系统(Hall system) | 第27页 |
| ·紫外/可见光谱(UV/Vis Spectrum) | 第27页 |
| ·薄膜厚度 | 第27-28页 |
| 第三章 不同IN 含量的IN-CDO 薄膜结构及光电性能 | 第28-39页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验过程 | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-38页 |
| ·In-CdO 薄膜能谱分析 | 第29-30页 |
| ·In 含量对In-CdO 薄膜结构的影响 | 第30-32页 |
| ·In 含量对In-CdO 薄膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| ·In 含量对In-CdO 薄膜电性能的影响 | 第33-35页 |
| ·In 含量对In-CdO 薄膜光性能的影响 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 不同基体温度的IN-CDO 薄膜结构及光电性能 | 第39-48页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验过程 | 第39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-46页 |
| ·基体温度对In-CdO 薄膜结构的影响 | 第39-41页 |
| ·基体温度对In-CdO 薄膜表面形貌的影响 | 第41-43页 |
| ·基体温度对In-CdO 薄膜电性能的影响 | 第43-45页 |
| ·基体温度对In-CdO 薄膜光性能的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 摘要 | 第58-61页 |
| Abstract | 第61-64页 |
