| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-31页 |
| ·ZnO 材料的基本性质 | 第13-16页 |
| ·ZnO 基薄膜材料和器件的研究现状及进展 | 第16-31页 |
| ·P 型掺杂ZnO 的研究进展 | 第16-20页 |
| ·高质量ZnO 及MgZnO 薄膜的研究进展 | 第20-23页 |
| ·ZnO 基光电子器件的研究进展 | 第23-31页 |
| 第2章 ZnO 薄膜的制备技术与性能表征 | 第31-49页 |
| ·ZnO 薄膜的制备技术 | 第31-36页 |
| ·射频磁控溅射技术 | 第31-35页 |
| ·真空退火技术 | 第35-36页 |
| ·样品的分析和表征手段 | 第36-49页 |
| ·薄膜质量、结构的表征 | 第36-41页 |
| ·成分与化学状态的表征 | 第41-43页 |
| ·电学性能的表征 | 第43-45页 |
| ·光学性能的表征 | 第45-49页 |
| 第3章 磷掺杂p 型 ZnO 薄膜的制备及光电特性表征和受主形成机制 | 第49-67页 |
| ·磷掺杂P 型ZnO 薄膜的制备 | 第49-50页 |
| ·靶材的制作 | 第49-50页 |
| ·薄膜的制备 | 第50页 |
| ·P 掺杂p 型ZnO 薄膜的电学特性与光学特性 | 第50-59页 |
| ·电学性质的分析 | 第50-54页 |
| ·光致发光光谱的分析 | 第54-58页 |
| ·透射光谱的分析 | 第58-59页 |
| ·磷掺杂受主的形成机制 | 第59-65页 |
| ·XRD 与EDX 能谱的分析 | 第59-61页 |
| ·拉曼光谱的分析 | 第61-62页 |
| ·X 射线光电子能谱的分析 | 第62-64页 |
| ·P 掺杂p 型ZnO 薄膜中的受主来源 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第4章 表面缺陷对P 掺杂p 型ZnO 薄膜光 电性质的影响及缺陷抑止机理 | 第67-81页 |
| ·实验设想及原理分析 | 第67-69页 |
| ·表面缺陷钝化前后电学性质的比较与分析 | 第69-70页 |
| ·表面缺陷钝化前后光学学性质的比较与分析 | 第70-78页 |
| ·低温光致发光全谱的讨论 | 第70-71页 |
| ·变温可见区域发光光谱的讨论 | 第71-73页 |
| ·低温紫外区域发光光谱的讨论 | 第73-76页 |
| ·Mg 代替Al 发光光谱的比较与钝化过程的理论分析 | 第76-78页 |
| ·钝化作用对于p 型ZnO 薄膜制备的意义 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第5章 In-P 共掺p 型 ZnO 薄膜制备与表征 | 第81-93页 |
| ·引言 | 第81-82页 |
| ·In-P 共掺ZnO 薄膜的制备 | 第82页 |
| ·靶材的制备 | 第82页 |
| ·薄膜制备 | 第82页 |
| ·In-P 共掺ZnO 薄膜的表征 | 第82-87页 |
| ·In-P 共掺ZnO 薄膜的形貌表征 | 第83页 |
| ·In-P 共掺ZnO 薄膜的结构表征 | 第83-85页 |
| ·X 射线光电子能谱分析 | 第85-87页 |
| ·In-P 共掺ZnO 薄膜的电学性质的分析 | 第87-88页 |
| ·In-P 共掺ZnO 薄膜的光学性质的分析 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第6章 结论与展望 | 第93-95页 |
| ·全文总结 | 第93页 |
| ·研究展望 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
