提要 | 第1-7页 |
第1章 绪论 | 第7-14页 |
·半导体材料紫外光电探测器的发展 | 第7-12页 |
·主要工作 | 第12-13页 |
·本论文的主要内容 | 第13-14页 |
第2章 紫外光电探测器的工作原理和结构设计 | 第14-35页 |
·紫外光电探测器的分类和一般工作原理 | 第14-18页 |
·光电子发射型探测器 | 第14-15页 |
·光电导探测器 | 第15-17页 |
·光伏探测器 | 第17-18页 |
·MSM紫外光电探测器的结构及工作原理 | 第18-26页 |
·MSM紫外光电探测器的结构 | 第18-19页 |
·MSM型光电探测器的工作原理 | 第19-26页 |
·MSM光电探测器电流—电压特性 | 第26-30页 |
·肖特基结的电流特性 | 第26-27页 |
·MSM光电探测器的暗电流特性 | 第27-28页 |
·MSM光伏型光电探测器的光电流特性 | 第28-30页 |
·MSM紫外光电探测器电容—电压特性 | 第30-31页 |
·MSM紫外光电探测器的主要参量及物理意义 | 第31-35页 |
·量子效率η_i和η | 第31-32页 |
·光电响应度R | 第32页 |
·光谱响应特性 | 第32页 |
·暗电流I_d | 第32-33页 |
·响应时间τ | 第33页 |
·器件的具体结构设计 | 第33-35页 |
第3章 立方氮化硼材料与其产生光电效应的物理机制 | 第35-51页 |
·立方氮化硼的结构、性质、应用及存在的问题 | 第35-43页 |
·立方氮化硼的结构 | 第35-37页 |
·立方氮化硼晶体的基本性质 | 第37-42页 |
·立方氮化硼应用 | 第42-43页 |
·存在的问题 | 第43页 |
·立方氮化硼光电效应的响应机理 | 第43-51页 |
·光倍频的基本原理 | 第44-47页 |
·光垂直于(111)面入射到立方氮化硼晶体上时的倍频极化强度 | 第47-51页 |
第4章 立方氮化硼MSM测试样品的制备及性能测试 | 第51-65页 |
·立方氮化硼MSM简单样品的制备 | 第51-53页 |
·第1 种型号立方氮化硼单晶MSM结构样品的制作 | 第51-52页 |
·第2 种型号立方氮化硼单晶MSM结构样品的制作 | 第52页 |
·第3 种型号立方氮化硼单晶MSM结构样品的制作 | 第52-53页 |
·立方氮化硼MSM交叉指状样品的制备 | 第53-58页 |
·光刻工艺 | 第54-56页 |
·蒸发工艺 | 第56-57页 |
·剥离工艺 | 第57-58页 |
·本实验插指电极的制备 | 第58页 |
·立方氮化硼样品暗电流、光电流的测试 | 第58-63页 |
·立方氮化硼样品响应时间和响应光谱的测试 | 第63-64页 |
·立方氮化硼样品双光子响应测试 | 第64-65页 |
第5章 结论与展望 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
中文摘要 | 第73-75页 |
Abstract | 第75-77页 |