图形衬底上GaN材料的外延生长研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·GaN 基LED 概述 | 第7-8页 |
| ·GaN 基LED 的应用及白光LED 实现方法 | 第8-12页 |
| ·GaN 基LED 的应用领域 | 第8-9页 |
| ·GaN 基白光LED 的实现方法 | 第9-12页 |
| ·本文研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 GaN 的材料特性以及 LED 发光原理 | 第13-19页 |
| ·GaN 的材料特性 | 第13-15页 |
| ·LED 的发光原理 | 第15-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 图形衬底概述 | 第19-25页 |
| ·LED 衬底材料的选择 | 第19-20页 |
| ·图形衬底与侧向外延 | 第20-24页 |
| ·图形衬底 | 第20-21页 |
| ·侧向外延生长技术 | 第21-23页 |
| ·侧向外延生长技术中存在的问题 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第四章 GaN 薄膜材料的外延生长机理 | 第25-31页 |
| ·GaN 材料的外延生长方法与机理 | 第25-27页 |
| ·MOCVD 设备原理 | 第27-29页 |
| ·MOCVD 设备外延生长的特点 | 第27-28页 |
| ·MOCVD 设备组成 | 第28-29页 |
| ·MOCVD 设备基本要求 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第五章 GaN 外延材料的表征与测试 | 第31-39页 |
| ·XRD 在外延材料的表征与测试中的应用 | 第31-34页 |
| ·XRD 的原理 | 第31-32页 |
| ·XRD 在材料表征方面的应用 | 第32-34页 |
| ·SEM 在外延材料的表征与测试中的应用 | 第34-36页 |
| ·SEM 的原理 | 第34-35页 |
| ·SEM 在材料表征方面的应用 | 第35-36页 |
| ·AFM 在外延材料的表征与测试中的应用 | 第36-38页 |
| ·AFM 的原理 | 第36-37页 |
| ·AFM 在材料表征方面的应用 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第六章 表面预处理图形衬底上外延GaN 的研究 | 第39-51页 |
| ·湿法腐蚀预处理衬底上外延GaN 研究 | 第39-44页 |
| ·湿法腐蚀预处理图形衬底 | 第39-41页 |
| ·湿法腐蚀预处理图形衬底上GaN 的外延 | 第41页 |
| ·湿法腐蚀时间对GaN 外延的影响 | 第41-43页 |
| ·腐蚀时间优化结果 | 第43-44页 |
| ·干法腐蚀预处理衬底上外延GaN 研究 | 第44-50页 |
| ·干法腐蚀预处理图形衬底 | 第44-46页 |
| ·干法轰击时间对GaN 外延的影响 | 第46-48页 |
| ·外延生长温度对结晶质量的影响 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第七章 柱状图形衬底上外延GaN 的研究 | 第51-61页 |
| ·柱状图形衬底上外延生长机理 | 第51-53页 |
| ·柱状图形衬底以及“二步生长法” | 第51-53页 |
| ·柱状图形衬底上的外延生长 | 第53页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ的优化 | 第53-56页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ与生长速率的关系 | 第53-54页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ的优化 | 第54-56页 |
| ·缓冲层生长时间对外延材料的影响 | 第56-58页 |
| ·质量欠佳外延片的成因分析 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 作者攻读硕士研究生期间参加的科研项目及研究成果 | 第69-70页 |
