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材料
微晶硅薄膜的制备及其特性研究
金属栅电极功函数和Fe基材料磁性及其功函数的自旋调制：第一性原理计算
γ-Fe2O3/Ni2O3复合磁性纳米微粒及磁性液体的制备及其性质研究
阳极腐蚀多孔硅的光致发光和正电子湮没谱学研究
熔融法制备PbSe量子点掺杂的硅酸盐光纤材料
TiO2/p+-Si异质结的电致发光
TiN节能镀膜玻璃的APCVD法制备及热处理工艺研究
ZnO薄膜及其光电器件的室温制备及性能研究
NiO/ZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究
过渡金属掺杂ZnO薄膜的制备及其性能研究
直拉单晶硅的内吸杂效应及铜沉淀行为
Na掺杂p型ZnO：Na_x薄膜的制备与性能研究
掺锗直拉硅单晶中缺陷的研究
大直径单晶炉Cusp磁场设计与研究
半导体材料的电沉积制备及其光电性能研究
P型硅化物热电材料的制备及掺杂
PbTe基块体热电材料的制备与性能
砷化硼及砷化铟团簇结构、稳定性和电子性质的理论研究
高压高温探究合成β-FeSi2热电材料
InAs/Ga(In)Sb超晶格长/远波段红外探测器研究
双受主施主掺杂ZnO薄膜的组织结构与性能
硅基InN单晶薄膜的RF-MBE生长及其特性研究
有机半导体材料迁移率测试系统的搭建及应用
GaAs基高密度InAs量子点材料制备与表征
磁控溅射制备NiO薄膜光电特性研究
AlGaN/GaN异质结的C-V特性研究
半导体材料带隙宽度的尺寸和温度效应研究
Zn0.98Co0.02O/PbZr0.52Ti0.48O3异质结的制备及其磁性能研究
化学有序AlxGa1-xN合金的电子性能研究
应力对h-BN的电子和光学性质的调制效应
ZnO基稀磁半导体高温铁磁性及其缺陷调控机理
低相变温度VO2薄膜的制备
硅衬底上AlGaN/GaN异质结材料的生长研究
蓝宝石衬底上高质量AlN材料生长研究
ZnO基稀磁半导体的制备与性能研究
层状多孔ZnO自持膜的制备及其气敏性能研究
激光合成β-FeSi2的结构特性及性能研究
金属有机物化学气相沉积设备多腔体气体输运技术的研究
第一性原理研究Ce掺杂ZnO、Ce/N共掺杂TiO2及透明导电氧化物In4Sn3O12和In4Ge3O12的电子结构和光学性质
半导体和氧化物表面石墨烯的生长和结构表征及锰掺杂碳化硅稀磁半导体研究
HVPE法制备GaN体材料的研究
大直径InP单晶制备及其半绝缘特性研究
介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能研究
铁掺杂氧化铟薄膜的制备及磁性和输运性质研究
MOCVD法制备锌锡氧薄膜及其特性研究
Al1-xInxN的制备及其性质研究
外延GaN衬底上ZnO：Ga薄膜的制备及特性研究
GaN薄膜的MOCVD制备法及其表征
氮化镓LED中极化效应的理论模拟
缓冲层在提高透明导电膜性能方面的实验与理论研究
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