| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·SOI 技术的发展 | 第11-13页 |
| ·SOI 技术的优势 | 第13-14页 |
| ·SOI 技术存在的问题 | 第14-16页 |
| ·SOI 技术的总剂量辐照加固 | 第16-17页 |
| ·本文研究工作的主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 MOS 结构及SOI 器件的辐射效应 | 第19-27页 |
| ·MOS 结构的辐照效应 | 第19-21页 |
| ·MOS 结构辐照效应的C-V 表征 | 第21-25页 |
| ·SOI 器件的总剂量辐照效应 | 第25-27页 |
| 第三章 注氮改性SIMOX SOI 材料的制备及表征 | 第27-39页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·注氮SIMOX SOI 材料的制备 | 第27页 |
| ·C-V 表征及分析 | 第27-31页 |
| ·C-V 表征 | 第27-30页 |
| ·C-V 分析 | 第30-31页 |
| ·傅里叶红外光谱原理及分析 | 第31-34页 |
| ·傅里叶红外光谱原理 | 第31-33页 |
| ·傅里叶红外光谱分析 | 第33-34页 |
| ·二次离子质谱原理及分析 | 第34-37页 |
| ·二次离子质谱原理 | 第34-35页 |
| ·二次离子质谱分析 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第四章 注氮改性SIMOX SOI 材料的抗辐照加固 | 第39-51页 |
| ·注氮改性SIMOX SOI 材料总剂量辐照效应 | 第39-46页 |
| ·PBS/SOI 电容辐照实验 | 第39页 |
| ·实验结果 | 第39-43页 |
| ·讨论与分析 | 第43-46页 |
| ·自退火对已辐照SIMOX SOI 材料总剂量辐照效应的影响 | 第46-50页 |
| ·PBS/SOI 电容辐照实验 | 第46页 |
| ·实验结果 | 第46-49页 |
| ·讨论与分析 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第五章 氮离子注入SOI 材料的计算机模拟 | 第51-61页 |
| ·离子注入的基本理论 | 第51-55页 |
| ·离子注入的优点 | 第51页 |
| ·离子阻止 | 第51-53页 |
| ·注入离子在靶中的分布 | 第53-55页 |
| ·氮离子注入损伤的计算机模拟 | 第55-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附录(攻读硕士学位期间发表的论文目录) | 第69页 |
