| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·薄膜技术与薄膜材料概述 | 第8-9页 |
| ·薄膜材料的制备方法 | 第9-11页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法(MOCVD) | 第9页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第9-10页 |
| ·磁控溅射(MS) | 第10-11页 |
| ·真空蒸发镀膜(Thermal evaporation) | 第11页 |
| ·ZnS薄膜在Cu(In,Ga)Se2太阳能电池中的应用 | 第11-12页 |
| ·纳米Si、Ge的研究意义 | 第12-14页 |
| ·本文研究的主要内容和意义 | 第14-16页 |
| 第2章 薄膜材料生长机理及表征 | 第16-22页 |
| ·薄膜生长过程 | 第16-17页 |
| ·薄膜特性的主要测试方法 | 第17-22页 |
| ·XRD分析 | 第17页 |
| ·Raman分析 | 第17-19页 |
| ·紫外可见透射光谱 | 第19页 |
| ·AFM分析 | 第19页 |
| ·光致发光分析 | 第19-22页 |
| 第3章 ZnS薄膜的制备及特性研究 | 第22-38页 |
| ·ZnS薄膜的制备 | 第22-26页 |
| ·电阻蒸发原理 | 第22-23页 |
| ·实验装置图 | 第23-24页 |
| ·退火工艺 | 第24页 |
| ·实验步骤 | 第24-26页 |
| ·衬底温度对ZnS薄膜特性的影响 | 第26-31页 |
| ·XRD测试与分析 | 第26-28页 |
| ·EDAX分析 | 第28-29页 |
| ·紫外可见透射谱分析 | 第29-31页 |
| ·AFM测试 | 第31页 |
| ·退火对样品特性的影响 | 第31-38页 |
| ·XRD测试分析 | 第32-33页 |
| ·EDAX分析 | 第33-34页 |
| ·紫外可见透射谱分析 | 第34-36页 |
| ·AFM分析 | 第36-38页 |
| 第4章 镶嵌在Si3N4薄膜中的Ge纳米晶制备与发光特性研究 | 第38-50页 |
| ·镶嵌在Si3N4薄膜中的Ge纳米晶的制备 | 第38-41页 |
| ·磁控溅射原理 | 第38-39页 |
| ·实验装置 | 第39页 |
| ·基片的清洗 | 第39-40页 |
| ·操作步骤 | 第40-41页 |
| ·Ge纳米晶的形成机理 | 第41页 |
| ·镶嵌在Si3N4薄膜中的Ge纳米晶特性研究 | 第41-50页 |
| ·XRD分析 | 第41-42页 |
| ·Raman分析 | 第42-44页 |
| ·PL谱分析 | 第44-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第57页 |
