| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·红外探测材料的基本概念和发展简史 | 第9-11页 |
| ·红外探测器的原理和分类 | 第11页 |
| ·红外探测器的应用 | 第11-13页 |
| ·CdHgTe红外探测材料的研究现状 | 第13-14页 |
| ·本文的研究目的和主要研究内容 | 第14-15页 |
| 2 理论方法 | 第15-28页 |
| ·密度泛函理论 | 第15-19页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第15-16页 |
| ·Hohnberg-Kohn定理 | 第16-17页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第17-18页 |
| ·交换关联泛函 | 第18-19页 |
| ·紧束缚模型 | 第19-24页 |
| ·紧束缚方法的基础——Bloch定理 | 第19-22页 |
| ·紧束缚模型 | 第22-24页 |
| ·蒙特卡洛方法 | 第24-26页 |
| ·蒙特卡洛方法分类 | 第24-25页 |
| ·蒙特卡罗方法的基本原理 | 第25页 |
| ·蒙特卡罗方法的步骤 | 第25-26页 |
| ·计算程序介绍 | 第26-28页 |
| 3 CdTe和HgTe晶体电子结构的第一性原理计算 | 第28-36页 |
| ·计算方法和模型 | 第28-31页 |
| ·结果与分析 | 第31-35页 |
| ·CdTe和HgTe晶体的能带结构 | 第31-33页 |
| ·CdTe和HgTe晶体的电子态密度和分态密度 | 第33-35页 |
| ·结论 | 第35-36页 |
| 4 Cd-Hg-Te体系在紧束缚模型下的参数拟合及其电子结构 | 第36-47页 |
| ·计算方法和模型 | 第36-39页 |
| ·结果与分析 | 第39-46页 |
| ·CdTe和HgTe晶体的紧束缚参数拟合 | 第39页 |
| ·CdTe和HgTe晶体和非晶在紧束缚模型下的电子结构 | 第39-44页 |
| ·紧束缚模型下CdHgTe体系的电子结构 | 第44-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 5 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
