首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--一般性问题论文

MOCVD法氧化锌薄膜材料生长

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第1章 绪论第8-24页
   ·引言第8-10页
   ·氧化锌的物理与化学基本特性第10-12页
   ·氧化锌薄膜的基本用途第12-16页
   ·氧化锌薄膜的生长方法第16-20页
   ·氧化锌薄膜器件介绍第20-23页
   ·本论文的研究内容第23-24页
第2章 氧化锌薄膜生长金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统第24-34页
   ·金属有机化学气相沉积方法原理第24-26页
     ·MOCVD 法制备薄膜的生长步骤第24-25页
     ·MOCVD 法制备薄膜的生长机制第25-26页
   ·用于氧化锌薄膜生长的反应系统第26-34页
     ·技术简介第26-28页
     ·MOCVD 法生长ZnO 源材料的选择第28-30页
     ·用于ZnO 生长的等离子增强MOCVD 反应系统第30-34页
第3章 玻璃衬底上氧化锌薄膜材料生长第34-50页
   ·不同氧气分压下氧化锌薄膜生长第35-44页
   ·不同温度下氧化锌薄膜生长第44-49页
   ·本章小结第49-50页
第4章 硅衬底上氧化锌薄膜材料生长第50-60页
   ·引言第50页
   ·硅衬底上氧化锌薄膜生长的条件优化第50-59页
   ·本章小结第59-60页
结论第60-61页
参考文献第61-66页
攻读学位期间发表的学术论文第66-69页
致谢第69-70页
个人简历第70页

论文共70页,点击 下载论文
上一篇:基于LonWorks现场总线技术的温度采集控制节点开发
下一篇:氧化锌薄膜晶体管的制备与研究