| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究课题介绍 | 第8-10页 |
| ·GaN发展历史 | 第8-9页 |
| ·InN发展历史 | 第9-10页 |
| ·取题意义 | 第10-14页 |
| ·太阳能电池工作原理 | 第10-12页 |
| ·InN、GaN及其合金在太阳能电池中的应用 | 第12-13页 |
| ·取题意义 | 第13-14页 |
| 2 薄膜的生长概述 | 第14-17页 |
| ·薄膜成核理论 | 第14-15页 |
| ·影响薄膜成核和结构的因素 | 第15-17页 |
| ·衬底材料 | 第15页 |
| ·缓冲层的制备 | 第15页 |
| ·沉积温度 | 第15-16页 |
| ·反应源流速 | 第16页 |
| ·微波功率 | 第16-17页 |
| 3 实验设备和样品检测 | 第17-30页 |
| ·RHEED原位监测ECR-PEMOECVD设备介绍 | 第17-21页 |
| ·有机源、氮源和载气的选择 | 第21-22页 |
| ·样品检测方法 | 第22-30页 |
| ·RHEED | 第22-23页 |
| ·XRD | 第23-25页 |
| ·原子力显微镜 | 第25-26页 |
| ·霍尔效应和迁移率测量 | 第26-28页 |
| ·透射谱 | 第28-30页 |
| 4 GaN薄膜的制备研究 | 第30-40页 |
| ·氮化时间对GaN薄膜的影响 | 第30-34页 |
| ·实验过程 | 第30页 |
| ·实验分析 | 第30-34页 |
| ·TMGa流量对GaN沉积的影响 | 第34-38页 |
| ·实验过程 | 第34页 |
| ·结果讨论 | 第34-38页 |
| ·小结 | 第38-40页 |
| 5 沉积温度对InN质量的影响 | 第40-44页 |
| ·实验过程 | 第40页 |
| ·结果讨论 | 第40-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-51页 |