SiC晶圆等离子体清洗技术的研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
1 绪论	第8-17页
·课题研究背景及意义	第8-11页
·SiC晶圆表面处理技术的国内外研究状况	第11-15页
·研究思想及研究内容	第15-17页
2 等离子体表面清洗技术与表面分析方法	第17-39页
·等离子体技术	第17-24页
·ECR等离子体产生的原理	第17-18页
·ECR-PEMOCVD系统装置	第18-22页
·ECR等离子体特点及应用	第22-24页
·表面分析方法	第24-39页
·高能电子衍射原位检测系统	第24-29页
·X射线光电子谱	第29-39页
3 等离子体清洗条件的确立	第39-50页
·样品制备	第39-40页
·氢等离子体清洗实验条件的确立	第40-48页
·等离子体清洗的流量与功率	第41-43页
·等离子体清洗的温度与时间	第43-48页
·氮氢等离子体清洗实验条件的确立	第48-50页
4 氢等离子体清洗SiC表面分析	第50-61页
·氢等离子体清洗的反应机理	第50-51页
·氢等离子体清洗的RHEED分析	第51-54页
·氢等离子体清洗SiC表面XPS测试结果与分析	第54-61页
·表面碳污染物去除效果与分析	第55-57页
·表面氧化物去除效果与分析	第57-61页
5 氮氢等离子体清洗SiC表面分析	第61-67页
·氮氢等离子体清洗的反应机理	第61页
·氮氢等离子体清洗的RHEED分析	第61-63页
·氮氢等离子体清洗SiC表面XPS测试结果与分析	第63-66页
·氢与氮氢等离子体清洗比较	第66-67页
结论	第67-68页
参考文献	第68-73页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况	第73-74页
致谢	第74-76页