| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·课题的研究背景及意义 | 第8-11页 |
| ·SiC金半接触表面改性的国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·本文的研究思想和内容 | 第13-15页 |
| 2 ECR-PEMOCVD系统及等离子体反应机理 | 第15-23页 |
| ·ECR-PEMOCVD系统 | 第15-19页 |
| ·ECR等离子体产生的原理 | 第15页 |
| ·耦合多极ECR等离子体装置及ECR放电特点 | 第15-19页 |
| ·氢等离子体反应机理 | 第19-20页 |
| ·影响等离子体处理效果的因素 | 第20-22页 |
| ·流量和功率 | 第20-22页 |
| ·温度和时间 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 3 4H-SiC金半接触的势垒和电流输运理论及分析 | 第23-45页 |
| ·金属/SiC的电流输运过程 | 第23-29页 |
| ·热电子发射理论 | 第24-26页 |
| ·隧穿电流 | 第26-29页 |
| ·金属和一般半导体的势垒形成 | 第29-36页 |
| ·肖特基—莫特理论 | 第29-31页 |
| ·丁模型 | 第31-33页 |
| ·通用的肖特基势垒模型 | 第33-36页 |
| ·金属/4H-SiC的势垒形成和分析 | 第36-40页 |
| ·金属/4H-SiC接触势垒变化的能带解释 | 第40-43页 |
| ·金属功函数小于临界值的情况 | 第41-42页 |
| ·金属功函数大于临界值的情况 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 4 Pt/4H-SiC表面氢等离子体处理及效果 | 第45-51页 |
| ·实验过程 | 第45页 |
| ·处理前后Pt/4H-SiC整流特性的变化 | 第45-46页 |
| ·Pt/4H-SiC势垒和界面态密度计算 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 5 4H-SiC氢等离子体表面处理及表面态计算 | 第51-59页 |
| ·SiC表面态表征和计算理论 | 第51-55页 |
| ·XPS表征SiC表面势 | 第55-56页 |
| ·实验过程及表面态计算 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |