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材料
半导体氧敏元件工艺与特性研究
硅材料抗辐射能力噪声评价技术研究
GaN基材料热退火与湿法腐蚀的研究
高Al组分AlGaN外延膜的测试与表征
宽禁带半导体材料—ZnO、TiO2和金刚石的制备及发光性能研究
压头曲率半径对单晶硅和氮化碳薄膜径向纳动损伤的影响
ZnO材料相变机理的研究
氧化锌的制备、改性及其光催化性能的研究
稀土—氮共掺杂TiO2的制备及其光催化性能研究
高温氩退火对提高硅片质量的研究
300mm直拉硅单晶生长过程中微缺陷的数值分析
第一性原理方法研究空位缺陷Si与SiC的结构与导电性
CuInS2薄膜的电沉积制备及其光电性能的研究
Mn掺杂纳米ZnO稀磁半导体的磁性研究
电子辐照对单晶硅性能影响的研究
GaN薄膜位错对载流子性能影响的研究
衬底预处理对外延生长GaN薄膜性能的影响
甚高频等离子增强CVD法制备微晶硅锗薄膜的研究
PECVD多晶硅薄膜制备工艺和性能的研究
元素半导体硅和锗材料的熔体结构研究
廉价衬底上PECVD法制备非晶硅薄膜的工艺研究
硅锗薄膜材料的RF-PECVD法制备及其在太阳电池中的应用
硅材料应力引入技术的研究
利用工艺诱生应变技术制备应变硅材料
GaN-BTO异质结电子特性的第一性原理研究
铁电/半导体异质结二维电子气的特性研究
黑硅材料的制备及特性研究
铜和银在锗单晶中的电学行为研究
氧化物半导体的湿化学法制备
掺铝氧化锌透明导电膜的制备与性能研究
钙钛矿型氧化物半导化掺杂与表面吸附光电特性的理论研究
MOCVD制备Cu掺杂ZnO薄膜及其同质结器件的性质研究
超低表面反射率单晶硅片制备方法的研究
Co掺杂ZnO稀磁半导体的微观结构、光学及磁学性质
电子束熔炼冶金硅中杂质蒸发行为研究
真空感应熔炼和定向凝固提纯冶金级硅研究
中频感应熔炼条件下多晶硅定向凝固铸锭研究
基于ECR-PEMOCVD技术在蓝宝石衬底上高C轴择优的InN薄膜的制备及表征
基于Ⅵ的载流子迁移率测试系统的研制
磁控溅射制备ZnO薄膜的研究
ZnO/CuSCN异质结的制备及性能研究
若干低维半导体系统斯托克斯拉曼散射的理论研究
等离子体增强化学气相沉积法制备优化TiO2薄膜及其光学性能研究
TiO2几何结构、电子结构和光学性能的第一性原理研究
AlxGa1-xN的MOCVD外延生长及日盲p-i-n型焦平面阵列探测器的研制
高p型导电率氧化锌的设计与计算
硅衬底GaN基LED钝化层与P面欧姆接触的研究
GaN基LED的N极性n型欧姆接触及老化性能研究
基于三氟化硼乙醚催化的Friedel-Crafts反应构筑有机半导体材料及其光电性能研究
用低能量/光电子显微镜研究Si基片上Pb岛的生长和熔化
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