| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-22页 |
| ·ZnO 材料的基本性质 | 第7-10页 |
| ·ZnO 材料研究热点 | 第10-14页 |
| ·ZnO 的掺杂 | 第11-12页 |
| ·ZnO 中的点缺陷 | 第12-13页 |
| ·ZnO 纳米棒和纳米线结构 | 第13-14页 |
| ·ZnO 光电器件的发展 | 第14-18页 |
| ·ZnO 基发光器件的发展 | 第14-16页 |
| ·ZnO 基光电探测器的发展 | 第16-18页 |
| ·ZnO 纳米结构及器件的制备方法与表征手段 | 第18-21页 |
| ·生长方法 | 第18-19页 |
| ·表征手段 | 第19-21页 |
| ·本论文内容概述 | 第21-22页 |
| 第二章 ZnO 纳米结构生长设备光辅助MOCVD 简介 | 第22-27页 |
| ·MOCVD 设备简介 | 第22-25页 |
| ·利用光辅助MOCVD 生长ZnO 纳米结构 | 第25-27页 |
| 第三章 ZnO/Si 纳米结构制备与分析 | 第27-49页 |
| ·ZnO 纳米结构生长 | 第27-30页 |
| ·生长机理 | 第27-28页 |
| ·生长参数和生长结果 | 第28-30页 |
| ·ZnO 纳米结构 SEM 表面形貌分析 | 第30-36页 |
| ·光照强度对ZnO 表面形貌的影响 | 第30-33页 |
| ·缓冲层厚度对ZnO 表面形貌的影响 | 第33-35页 |
| ·Zn 源流量的影响 | 第35-36页 |
| ·ZnO 纳米结构的晶体质量 X 射线衍射分析 | 第36-41页 |
| ·光照强度对晶体质量的影响 | 第36-38页 |
| ·缓冲层厚度对结晶质量影响 | 第38-39页 |
| ·Zn 源流量对晶体质量的影响 | 第39-41页 |
| ·ZnO 纳米结构的发光特性 PL 分析 | 第41-44页 |
| ·光照强度的影响 | 第42-43页 |
| ·变温PL 谱测量 | 第43-44页 |
| ·ZnO 纳米结构的 XPS 分析 | 第44-46页 |
| ·退火处理对ZnO 纳米结构的影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 ZnO/Si 异质结器件制备及发光性质分析 | 第49-63页 |
| ·ZnO/Si 发光器件电极的选择和制备 | 第49-51页 |
| ·ZnO/Si 光电器件研究 | 第51-59页 |
| ·ZnO/Si 发光二极管 | 第51-56页 |
| ·ZnO/Si 器件的光生伏特效应 | 第56-59页 |
| ·ZnO/GaAs/Si 发光器件 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 摘要 | 第72-75页 |
| Abstract | 第75-78页 |
| 致谢 | 第78页 |