摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-11页 |
第1章 绪论 | 第11-31页 |
·ZnO材料的基本性质 | 第13-15页 |
·ZnO基薄膜材料和器件的研究现状及进展 | 第15-28页 |
·高质量ZnO及MgZnO薄膜的研究进展 | 第15-18页 |
·P型掺杂ZnO的研究进展 | 第18-23页 |
·ZnO基光电子器件的研究进展 | 第23-28页 |
·论文的选题依据和研究内容 | 第28-31页 |
第2章 ZnO薄膜的制备技术与性能表征 | 第31-55页 |
·ZnO薄膜的制备技术 | 第31-38页 |
·分子束外延技术(MBE) | 第31-36页 |
·射频磁控溅射技术 | 第36-38页 |
·ZnO薄膜性能表征手段 | 第38-55页 |
·薄膜质量、结构的表征 | 第38-43页 |
·成分与化学状态的表征 | 第43-44页 |
·电学性能的表征 | 第44-46页 |
·光学性能的表征 | 第46-48页 |
·ZnO薄膜中双轴应力的表征 | 第48-55页 |
第3章 密度泛函理论 | 第55-67页 |
·多粒子体系的Schrodinger方程 | 第55-58页 |
·绝热近似 | 第56-57页 |
·哈特利-福克近似 | 第57-58页 |
·密度泛函理论 | 第58-61页 |
·Hohenberg-Kohn(HK)定理 | 第59-60页 |
·Kohn-Sham方程 | 第60-61页 |
·交换-关联能 | 第61-63页 |
·局域密度近似(LDA) | 第61-62页 |
·广义梯度近似(GGA) | 第62-63页 |
·Kohn-Sham方程的自洽求解 | 第63-67页 |
·赝势平面波方法 | 第63-66页 |
·CASTEP软件包简介 | 第66-67页 |
第4章 双轴应力对ZnO薄膜光学性能、电子结构的影响 | 第67-77页 |
·ZnO薄膜中双轴应力的表征及其影响 | 第67-70页 |
·ZnO薄膜的制备与应力表征 | 第67-70页 |
·ZnO薄膜中的热应力 | 第70页 |
·双轴应力对ZnO薄膜光学性质的影响 | 第70-72页 |
·双轴应力对ZnO薄膜光学带隙影响 | 第70-72页 |
·双轴应力对光致发光谱的影响 | 第72页 |
·双轴应力对ZnO电子结构的影响 | 第72-76页 |
·计算方法 | 第72页 |
·双轴应力对ZnO能带结构的影响 | 第72-76页 |
·本章小结 | 第76-77页 |
第5章 晶格失配对MgZnO/ZnO基异质结光电子器件性能的影响 | 第77-99页 |
·MgZnO及氮掺杂p型MgZnO合金薄膜的制备和光电性质 | 第78-84页 |
·晶格失配对ZnO薄膜中双轴应力及表面质量的影响 | 第84-88页 |
·晶格失配对ZnO基异质结光电子器件性能的影响 | 第88-98页 |
·非对称p-Mg_(0.05)Zn_(0.95)O/i-ZnO/n~+-GaN双异质结构紫外发光二极管 | 第88-91页 |
·Si基p-Mg_(0.05)Zn_(0.95)O/i-ZnO/n~+-Si双异质结构紫外发光二极管 | 第91-94页 |
·p-MgZnO/n-ZnO异质结紫外探测器 | 第94-98页 |
·本章小结 | 第98-99页 |
第6章 结论与展望 | 第99-101页 |
·全文总结 | 第99页 |
·研究展望 | 第99-101页 |
参考文献 | 第101-111页 |
在学期间学术成果情况 | 第111-113页 |
指导教师及作者简介 | 第113-114页 |
致谢 | 第114页 |