| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·SiC 材料特性及其研究意义 | 第7-8页 |
| ·SiC 工艺及MOS 器件研究现状 | 第8-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 SiO_2/SiC 界面特性分析 | 第11-23页 |
| ·MOS 系统中陷阱构成 | 第11-14页 |
| ·SiO_2/SiC 界面态成因分析 | 第14-16页 |
| ·关于提高SiO_2/SiC 界面特性的研究 | 第16-21页 |
| ·基于SiC 材料的解决方案 | 第16-18页 |
| ·通过改善退火工艺来改善SiO_2/SiC 界面质量 | 第18-21页 |
| ·小结 | 第21-23页 |
| 第三章 氧化前注入N+离子的SiC MOS 电容界面特性分析 | 第23-35页 |
| ·界面改善方法概述 | 第23-24页 |
| ·实验方案与样品制备 | 第24-27页 |
| ·衬底清洗 | 第25页 |
| ·离子注入 | 第25-27页 |
| ·SiC 外延层的氧化和退火 | 第27页 |
| ·4H-SiC MOS 电容C-V 测试与分析 | 第27-29页 |
| ·4H-SiC MOS 电容界面态密度的计算 | 第29-33页 |
| ·高-低频C-V 法计算界面态密度的原理 | 第30-32页 |
| ·高-低频C-V 法获得的SiO_2/SiC 界面态密度分布 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-35页 |
| 第四章 氧化前注入N~+/Al~+离子SiC MOS 电容界面特性分析 | 第35-45页 |
| ·样品的制备 | 第35-36页 |
| ·样品的电学测试与分析 | 第36-43页 |
| ·利用C-V 曲线提取载流子浓度 | 第36-38页 |
| ·SiC MOS 电容的界面质量分析 | 第38-40页 |
| ·SiC MOS 电容I-V 特性 | 第40-43页 |
| ·小结 | 第43-45页 |
| 第五章 结束语 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目、完成的学术论文情况 | 第53-54页 |
