p型ZnO的高压制备及其性能表征
内容提要 | 第1-8页 |
第一章 绪论 | 第8-24页 |
·ZnO材料的基本性质 | 第9-10页 |
·ZnO材料的研究热点及进展 | 第10-21页 |
·ZnO紫外受激发射的研究进展 | 第10-11页 |
·p型ZnO的研究进展 | 第11-17页 |
·ZnO器件的研究进展 | 第17-21页 |
·ZnO薄膜研究存在的问题和发展趋势 | 第21-22页 |
·论文的选题依据和研究内容 | 第22-24页 |
第二章 高压设备及样品表征手段 | 第24-33页 |
·引言 | 第24页 |
·高压设备以及合成工艺简介 | 第24-28页 |
·高压设备简介 | 第24-25页 |
·温度和压力的标定 | 第25-26页 |
·组装及合成工艺 | 第26-28页 |
·样品的分析和表征手段 | 第28-32页 |
·X射线衍射(XRD) | 第28-29页 |
·X射线光电子能谱 | 第29-30页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第30页 |
·微区光致发光谱(PL) | 第30-31页 |
·霍尔效应(Hall effect) | 第31-32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
第三章 ZnO透明陶瓷的制备及性能表征 | 第33-45页 |
·引言 | 第33页 |
·氧化物透明陶瓷的研究现状 | 第33-36页 |
·透明陶瓷在国外的发展现状 | 第33-35页 |
·透明陶瓷在国内的发展现状 | 第35页 |
·透明陶瓷的影响因素 | 第35-36页 |
·ZnO透明陶瓷研究的目的和意义 | 第36-37页 |
·ZnO粉体的制备工艺 | 第37-38页 |
·ZnO透明陶瓷的制备及性能表征 | 第38-43页 |
·ZnO透明陶瓷的制备 | 第38-39页 |
·样品的结构表征及表面成分分析 | 第39-41页 |
·ZnO透明陶瓷的电学性质分析 | 第41-42页 |
·吸收光谱分析 | 第42-43页 |
·光致发光谱的分析 | 第43页 |
·ZnO陶瓷透明机理分析 | 第43-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
第四章 晶界相关的p型ZnO的制备及性能表征 | 第45-60页 |
·引言 | 第45-46页 |
·实验方法 | 第46页 |
·样品的电学测量 | 第46-49页 |
·样品的结构表征 | 第49-52页 |
·X射线光电子能谱分析 | 第52-53页 |
·样品表面形貌及成分分析 | 第53-56页 |
·p型形成机理的研究 | 第56-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
第五章 高温高压下Sb_2O_3的分解行为 | 第60-67页 |
·引言 | 第60页 |
·实验方法 | 第60-61页 |
·样品的光学照片 | 第61页 |
·样品的结构分析 | 第61-63页 |
·高压分解相图 | 第63-65页 |
·热力学分析 | 第65-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
第六章 结论 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-78页 |
致谢 | 第78-79页 |
中文摘要 | 第79-81页 |
Abstract | 第81-82页 |