当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
Mg，Co共掺杂ZnO薄膜的PLD制备工艺及性能研究
高能粒子辐照单晶硅辐照效应的研究
离子注入对大直径SI-GaAs晶体缺陷及电学性能的影响
热处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响
高质量AlN材料分子束外延生长机理及相关材料物性研究
应变岛双稳态及拓扑绝缘体薄膜分子束外延生长研究
ZnO光电导纳米材料及其半导体性质研究
高双光子吸收截面有机半导体材料的设计、合成与表征
可溶性噻吩及其衍生物有机半导体分子材料的设计、合成与表征
直接发白光的有机/无机杂化半导体材料研究
四探针智能测试仪的研发
PLD低温制备富硅SiO2薄膜及其应用
射频反应溅射法制备SnO2薄膜及其工艺研究
InAs/InxGa1-xSb应变超晶格界面结构和光学性能
锑化物半导体超晶格外延生长与表面结构研究
PECVD法制备氢化非晶硅薄膜及其性能研究
复合有机半导体材料体系的载流子输运性质研究
精密晶圆检测系统中相移干涉术的算法与实验研究
PVT法生长大尺寸SiC晶体的数值模拟
SiC衬底外延生长GaN界面结构的第一性原理研究
BaTiO3-SiC异质结构的第一性原理研究
磁控溅射法制备优质氮化镓衬底生长用缓冲层氧化锌薄膜
InAs/GaSb应变超晶格材料的结构与性能
Bi2Se3晶体p-型掺杂的第一性计算及其制备研究
双槽电化学腐蚀制备多孔硅及其发光性能研究
硅熔化与快速凝固过程的模拟研究
氮和磷掺杂对3C-SiC光学性质的影响
硼掺杂对β-SiC光学性质的影响
低维氧化锌基材料及其在光探测器和太阳能电池中的应用
ZnO薄膜的制备和紫外探测器的研究
钽、铌醇盐的电化学合成及表征
Sol-Gel法制备AZO薄膜及其性能研究
ZnO电子结构与基本属性的第一性原理研究
In2O3基稀磁半导体结构和性能的研究
ZnO基稀磁半导体材料的微结构及性能研究
PTC陶瓷的细晶化及其与Ni电极共烧技术研究
低介电常数材料微观结构及其对介电性能和热性能的影响
ZnO材料的制备及其性能研究
GaN材料的制备、性能及生长机理研究
PECVD非晶硅薄膜制程工艺仿真建模
硅微结构材料的制备及应用
硅基稀磁半导体薄膜的制备及其结构和输运性质的研究
非故意掺杂4H-SiC本征缺陷及退火特性研究
4H-SiC外延材料低位错密度关键技术研究
ZnO基宽禁带稀磁半导体材料的制备及性能研究
钙钛矿结构金属氧化物薄膜的室温可逆电阻开关特性研究
基于ZnO的异质结的组建及其光电性能研究
纳米TiO2/有机复合半导体紫外探测材料
直拉单晶硅的晶体生长及缺陷研究
氧化锌p型掺杂的相关问题研究
上一页
[56]
[57]
[58]
[59]
[60]
下一页
