| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| ·铁电材料概述 | 第11-18页 |
| ·铁电性的基本理论 | 第11-15页 |
| ·铁电材料分类 | 第15-18页 |
| ·LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n(n=1)以及LuFeO_3的研究背景及前景 | 第18-19页 |
| ·本论文的研究切入点及内容 | 第19-20页 |
| 第二章 LuFeO_3以及LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n,n=1材料的合成 | 第20-23页 |
| ·LuFeO_3粉体的制备 | 第20页 |
| ·材料的化学共沉淀法简介 | 第20页 |
| ·实验设备介绍及方法 | 第20页 |
| ·LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n,n=1薄膜的制备 | 第20-21页 |
| ·薄膜材料制备的Sol-gel方法 | 第20-21页 |
| ·薄膜的制备 | 第21页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)方法制备LuFeO_3薄膜 | 第21-23页 |
| ·薄膜材料制备的脉冲激光沉积法(PLD) | 第21-22页 |
| ·脉冲激光沉积法靶材的制备 | 第22页 |
| ·脉冲激光沉积法制备LuFeO_3薄膜材料 | 第22-23页 |
| 第三章 LuFeO_3以及LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n(n=1)薄膜材料的结构及形貌 | 第23-33页 |
| ·XRD原理简介 | 第23-24页 |
| ·LuFeO_3以及LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n,n=1材料的结构 | 第24-26页 |
| ·LuFeO_3以及LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n(n=1)材料的XRD谱线 | 第26-30页 |
| ·LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n(n=1)薄膜的形貌 | 第30-33页 |
| ·AFM原理简介 | 第30-31页 |
| ·LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n,n=1薄膜的AFM形貌 | 第31-33页 |
| 第四章 LuFeO_3以及LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n,n=1的电学、光学、磁学性质 | 第33-50页 |
| ·LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n,n=1薄膜的电学性质 | 第33-43页 |
| ·MFS结构介电特性分析 | 第33-36页 |
| ·不同掺杂杂质LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n,n=1薄膜电学性质的比较 | 第36-39页 |
| ·掺入不同Mn含量的LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n,n=1薄膜电学性质的比较 | 第39-43页 |
| ·LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n,n=1薄膜的光学性质 | 第43-47页 |
| ·实验仪器介绍及光致发光(PL)理论简介 | 第43-44页 |
| ·LuFe_2O_4(LuFeO_3)_n,n=1薄膜的光学性质 | 第44-47页 |
| ·LuFeO_3材料的磁学性质 | 第47-50页 |
| ·磁学测量理论 | 第47-48页 |
| ·LuFeO_3材料的磁学性能 | 第48-50页 |
| 第五章 总结 | 第50-53页 |
| ·工作总结 | 第50-52页 |
| ·工作不足及展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 发表论文目录 | 第56-57页 |
