当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
硫系相变型半导体存储材料的制备与表征
p型Cu1-xNixO透明氧化物半导体薄膜的制备及性能分析
导纳谱应用于测量半导体中浅能级的研究
65nm高性能工艺流程之低温选择性锗硅外延技术的研究
TiO2基氧化物半导体磁性的实验研究
多晶硅刻蚀特性的研究
LEC砷化镓单晶生长技术
真空高阻区熔硅单晶生长技术的研究
碳化硅单晶微管道缺陷研究
VB-GaAs单晶片抛光技术研究
HVPE法制备GaN同质衬底
宽禁带SiC材料中杂质的分析研究
LED用砷化镓抛光片表面状态研究
SiC中V含量的二次离子质谱分析研究
PVT法生长SiC单晶中V掺杂行为研究
掺杂SnO2的电子结构、光学与磁学性质的第一性原理计算
Co，Cu掺杂ZnO稀磁半导体粉末的结构及磁性研究
用于二次电子发射阴极材料的金刚石薄膜的制备及性能研究
波样耗散结构的空间构造及形成过程
掺氮SiC薄膜制备及其光学特性的研究
磁控溅射法制备氮掺杂ZnO薄膜及其光学特性研究
与Si相容的自旋电子学材料的研究：磁性半导体
掺杂金红石相TiO2的第一性原理计算
300mm半导体工厂AMHS系统的分析、设计和控制策略的仿真研究
高性能有机电致发光材料的制备及器件研究
硅微通道氧化特性的进一步研究
PEDOT-PSS在ZnO上的肖特基结
ZnO基稀磁半导体材料的制备及性能研究
SiC材料P型掺杂的第一性原理研究
激光沉积法制备掺钴氧化锌稀磁半导体
全频段石榴石薄膜性能及应用基础研究
GaN基异质结材料应变分析及电学特性研究
有机半导体材料电学性质及载流子浓度的计算和分析
BaTiO3/GaN异质结的电子结构和二维电子气特性研究
氧化钛薄膜生长及铁电集成性研究
硅/锗异质结纳米线的结构和电子特性研究
Hf-Bi4Ti3O12薄膜的铁电性及其与GaN的集成生长研究
用于动态红外场景产生器的TaN薄膜研究
瓦斯敏感聚苯胺/纳米氧化物复合薄膜的制备
GaN基Ni/Au肖特基接触模拟和实验研究
GaN LED外延片微结构分析及性能研究
ZnO表界面及其相关特性的第一性原理研究
金属离子掺杂的ZnO第一性原理计算及透明导电薄膜制备研究
金刚石薄膜表面的含氧基修饰研究
CVD金刚石薄膜表面的卤素修饰研究
Cr掺杂ZnO薄膜的制备与磁性机制研究
掺硼金刚石薄膜的制备及其电学性质的研究
宽带隙半导体SiC和ZnO的光电性质及掺杂研究
Gd2O3高K栅介质薄膜的生长及表征
Zn在N-GaSb晶片中扩散机理与GaSb热光伏电池制备工艺的研究
上一页
[55]
[56]
[57]
[58]
[59]
下一页
