SiO2/SiC界面悬挂键及其钝化的第一原理研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第9-10页 |
| ·界面态的国内外研究状况 | 第10-15页 |
| ·论文的研究思想和内容 | 第15-17页 |
| 2 SiO_2/SiC界面特性及改性工艺 | 第17-22页 |
| ·SiO_2/SiC的界面缺陷起源 | 第17-19页 |
| ·近界面缺陷 | 第18页 |
| ·碳团簇 | 第18页 |
| ·悬挂键 | 第18-19页 |
| ·SiO_2/SiC的界面处理工艺 | 第19-21页 |
| ·H气氛退火 | 第19-20页 |
| ·N钝化技术 | 第20页 |
| ·P气氛退火 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 3 研究方法 | 第22-37页 |
| ·密度泛函理论 | 第22-29页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第23-25页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第25-27页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第27-28页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第28-29页 |
| ·CASTEP量子计算程序包 | 第29-36页 |
| ·超级胞理论(supercell theory) | 第30-31页 |
| ·平面波理论 | 第31-32页 |
| ·超软赝势理论 | 第32-34页 |
| ·自洽迭代与电荷密度混合 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 4 4H-SiC界面悬挂键钝化模型 | 第37-46页 |
| ·表面结构 | 第37-40页 |
| ·表面二维结构 | 第38-39页 |
| ·表面特性 | 第39-40页 |
| ·计算模型的构建 | 第40-43页 |
| ·表面模型 | 第40-42页 |
| ·SiC表面吸附模型 | 第42-43页 |
| ·计算参数选择 | 第43-45页 |
| ·交换关联泛函的选择 | 第43-44页 |
| ·平面波展开截断能 | 第44-45页 |
| ·K空间网格取样密度 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 5 SiO_2/SiC界面悬挂键及其钝化分析 | 第46-56页 |
| ·SiO_2/SiC界面悬挂键 | 第46-48页 |
| ·4H-SiC-(0001)Si面结构 | 第46页 |
| ·4H-SiC-(0001)Si面电子结构 | 第46-48页 |
| ·界面悬挂键钝化分析 | 第48-55页 |
| ·吸附能及体系电子结构 | 第48页 |
| ·氢钝化悬挂键分析 | 第48-50页 |
| ·氮钝化悬挂键分析 | 第50-53页 |
| ·磷钝化悬挂键分析 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
