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SnO2基半导体材料的电子结构和光学性质研究

摘要第1-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第10-16页
   ·引言第10页
   ·相关领域研究现状第10-12页
   ·本论文研究内容及意义第12-16页
     ·研究内容第12-13页
     ·各物理量的含义第13-14页
     ·本论文的研究意义第14-16页
第二章 理论基础第16-28页
   ·密度泛函理论介绍第16-21页
     ·多粒子体系薛定谔方程第16-17页
     ·绝热近似(Born-Oppenheimer 近似)第17页
     ·哈特利—福克近似(Hartree-Fock 近似)第17-18页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第18-20页
     ·Kohn-Sham 方程第20-21页
   ·交换关联能近似第21-22页
     ·局域密度近似(Local Density Approximation, LDA)第21页
     ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA)第21-22页
   ·波函数的选取第22-25页
     ·全电子法和赝势法第22-23页
     ·线性缀加平面波法第23-25页
   ·WIEN2K 程序介绍第25-28页
第三章 III 族金属元素掺杂材料的电子结构和光学特性第28-48页
   ·本征态 SnO_2 光电性质计算第28-35页
     ·理论模型第28-29页
     ·电子结构第29-31页
     ·光学性质第31-35页
   ·III 族金属元素 Al 掺杂 SnO_2材料光电性质研究第35-43页
     ·理论模型第35-36页
     ·电子结构第36-39页
     ·光学性质第39-43页
   ·III 族金属元素 Ga I、n 掺杂SnO_2研究第43-47页
     ·电子结构第43-45页
     ·光学性质第45-47页
 本章小结第47-48页
第四章 N 掺杂SnO_2材料的电子结构和光学性质第48-56页
   ·理论模型第48页
   ·计算结果与讨论第48-55页
     ·电子结构第48-53页
     ·光学性质第53-55页
 本章小结第55-56页
第五章 In、N 共掺杂材料电子结构和光学性质第56-64页
   ·理论模型第56-57页
   ·结果与讨论第57-63页
     ·电子结构第57-61页
     ·光学性质第61-63页
 本章小结第63-64页
第六章 结论与展望第64-66页
参考文献第66-74页
致谢第74-76页
附录 A(攻读学位其间发表论文目录)第76页

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