| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-9页 |
| ·研究背景 | 第7页 |
| ·研究进展 | 第7-8页 |
| ·本课题的意义和主要工作 | 第8-9页 |
| 第二章 硅材料的基本性质及其制备 | 第9-25页 |
| ·硅的基本性质 | 第9-11页 |
| ·硅的电学性质 | 第10页 |
| ·硅的光学性质 | 第10-11页 |
| ·硅的力学和热学性质 | 第11页 |
| ·硅材料的晶体结构 | 第11-13页 |
| ·硅的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·硅晶体的对称性 | 第12-13页 |
| ·硅的半导体性质 | 第13-17页 |
| ·硅晶体的能带结构 | 第13-14页 |
| ·载流子浓度 | 第14-16页 |
| ·PN 结 | 第16-17页 |
| ·硅材料的制备工艺与硅中杂质 | 第17-25页 |
| ·硅材料的提纯过程 | 第17-19页 |
| ·西门子法 | 第18页 |
| ·甲硅烷热分解法 | 第18-19页 |
| ·四氯化硅氢还原法 | 第19页 |
| ·硅单晶生长 | 第19-23页 |
| ·CZ 法 | 第19-21页 |
| ·FZ 法 | 第21-23页 |
| ·硅中杂质 | 第23-25页 |
| 第三章 硅衬底材料的应用 | 第25-33页 |
| ·外延技术的发展 | 第25-26页 |
| ·外延工艺 | 第26-28页 |
| ·硅气相外延 | 第26-27页 |
| ·硅液相外延 | 第27页 |
| ·硅固相外延 | 第27-28页 |
| ·硅分子束外延 | 第28页 |
| ·影响外延生长的因素 | 第28-30页 |
| ·衬底杂质对外延层影响的控制 | 第30-33页 |
| 第四章 二次离子质谱（SIMS）分析技术及实验样品的制备 | 第33-41页 |
| ·SIMS 的发展历程 | 第33页 |
| ·SIMS 的工作原理 | 第33-34页 |
| ·离子溅射的一些基本概念 | 第34-38页 |
| ·一次离子束 | 第34-35页 |
| ·二次粒子发射及其产额 | 第35-36页 |
| ·二次离子发射及其产率 | 第36-38页 |
| ·噪声本底 | 第38页 |
| ·SIMS 基本关系式 | 第38页 |
| ·CAMECA IMS-7F 的结构与性能 | 第38-41页 |
| 第五章 SIMS 实验研究方法分析及结论 | 第41-51页 |
| ·实验样品及制备 | 第41-44页 |
| ·实验条件的建立 | 第44-48页 |
| ·二次离子的收集面积 | 第45页 |
| ·质量分辨率的选择与干扰峰的分离 | 第45-46页 |
| ·仪器环境对检测的影响 | 第46-47页 |
| ·轰击时间—溅射深度的转换与深度测量 | 第47-48页 |
| ·SIMS 定量分析方法 | 第48页 |
| ·实验结果及其分析 | 第48-51页 |
| ·不同表面处理工艺样品的检测结果比较 | 第48-49页 |
| ·不同类型硅片的测试结果比较 | 第49-51页 |
| 第六章 结论 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 在研期间成果 | 第59-60页 |