| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·硅化物工艺的发展历史 | 第8-13页 |
| ·NiSi工艺介绍 | 第13-16页 |
| ·Si(110)晶向衬底介绍和本论文内容安排 | 第16-20页 |
| 第二章 NiSi样品的制备及测试方法 | 第20-30页 |
| ·样品制备工艺流程 | 第20-22页 |
| ·光硅片样品工艺处理 | 第20-21页 |
| ·图形片样品工艺处理 | 第21-22页 |
| ·样品测试方法 | 第22-30页 |
| ·薄层电阻测量 | 第23-24页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第24-25页 |
| ·拉曼散射光谱分析法(Raman spectra) | 第25页 |
| ·原子力显微镜扫描(AFM) | 第25-26页 |
| ·二次离子质谱(SIMS)法测量元素分布 | 第26-27页 |
| ·俄歇电子能谱(AES) | 第27-28页 |
| ·电流-电压扫描(I-V) | 第28-30页 |
| 第三章 NiSi在Si(110)衬底上的形成研究 | 第30-40页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·样品制备简介 | 第30页 |
| ·25nm Ni膜在不同衬底上的反应研究 | 第30-36页 |
| ·10nm Ni膜在Si(110)晶向衬底上的反应研究 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 NiSi/Si(110)肖特基二极管电学特性研究 | 第40-45页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·样品制备介绍 | 第40-41页 |
| ·nmNi膜二次退火后的I-V特性研究 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
