硅基锗薄膜分子束外延生长与RHEED分析
| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目次 | 第9-11页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| ·课题背景 | 第11-12页 |
| ·锗和锗硅的优势 | 第12-14页 |
| ·硅锗外延的器件应用举例 | 第14-17页 |
| ·本课题研究内容 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 2 实验方法 | 第21-33页 |
| ·分子束外延系统 | 第21-25页 |
| ·实验流程 | 第23-24页 |
| ·硅片清洗 | 第24-25页 |
| ·反射式高能电子衍射 | 第25-27页 |
| ·检测方法 | 第27-31页 |
| ·原子力显微镜 | 第27-28页 |
| ·腐蚀坑测试 | 第28-29页 |
| ·拉曼光谱测试 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 3 硅锗外延中的RHEED花样分析 | 第33-59页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·运动学衍射理论 | 第34-37页 |
| ·基本衍射条件 | 第34页 |
| ·倒易杆 | 第34-35页 |
| ·厄瓦德球图示法 | 第35-37页 |
| ·平面衍射花样 | 第37-45页 |
| ·无重构表面 RHEED花样计算 | 第37-39页 |
| ·重构表面 RHEED花样 | 第39-45页 |
| ·透射式衍射花样 | 第45-50页 |
| ·一般透射式衍射花样 | 第45-46页 |
| ·多晶环衍射花样 | 第46-47页 |
| ·孪晶花样 | 第47-50页 |
| ·硅锗外延过程中 RHEED监控 | 第50-56页 |
| ·衬底 RHEED花样 | 第50-51页 |
| ·硅基锗量子点生长 RHEED花样演化 | 第51-54页 |
| ·硅基锗薄膜外延 RHEED花样演化 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 4 硅基锗薄膜外延生长 | 第59-75页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·锗硅外延基本理论 | 第60-63页 |
| ·外延生长模式 | 第60-62页 |
| ·临界厚度 | 第62-63页 |
| ·外延薄膜中位错理论 | 第63页 |
| ·插入层研究 | 第63-68页 |
| ·样品制备 | 第64页 |
| ·结果分析 | 第64-68页 |
| ·高质量锗外延薄膜 | 第68-70页 |
| ·样品制备 | 第68页 |
| ·结果分析 | 第68-70页 |
| ·结果 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 5 总结和展望 | 第75-77页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第77页 |
