4H-SiC外延材料缺陷的检测与分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究的目的和意义 | 第7页 |
| ·研究现状 | 第7-9页 |
| ·本文的主要内容 | 第9-11页 |
| 第2章 SiC材料中的主要缺陷及其演化 | 第11-22页 |
| ·晶格缺陷的基本概念 | 第11-13页 |
| ·晶格缺陷的形成 | 第11页 |
| ·晶体缺陷的分类 | 第11-13页 |
| ·SiC材料中的主要缺陷 | 第13-18页 |
| ·线缺陷 | 第13-16页 |
| ·面缺陷 | 第16-17页 |
| ·SiC中位错的特征 | 第17-18页 |
| ·SiC外延材料中缺陷的演化 | 第18-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 缺陷的检测方法 | 第22-33页 |
| ·化学腐蚀法 | 第22-25页 |
| ·化学腐蚀原理 | 第22-24页 |
| ·化学腐蚀SiC的发展 | 第24页 |
| ·KOH腐蚀SiC的机理 | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微技术 | 第25-28页 |
| ·扫描电子显微的成像原理 | 第25-26页 |
| ·扫描电子显微镜的优点 | 第26-27页 |
| ·SEM像衬度原理 | 第27-28页 |
| ·其它检测缺陷的方法 | 第28-32页 |
| ·X-射线形貌(XRT)术 | 第28-29页 |
| ·光致发光(PL)技术 | 第29-30页 |
| ·阴极荧光成像分析(CL)技术 | 第30-31页 |
| ·透射电子显微(TEM)技术 | 第31页 |
| ·偏光显微分析(PLM)技术 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 化学腐蚀法观测分析4H-SiC缺陷 | 第33-51页 |
| ·化学腐蚀4H-SiC发展概述 | 第33页 |
| ·化学腐蚀4H-SiC实验 | 第33-35页 |
| ·实验设备 | 第33页 |
| ·实验步骤 | 第33-35页 |
| ·腐蚀实验现象 | 第35页 |
| ·4H-SiC中主要缺陷的腐蚀形貌 | 第35-38页 |
| ·4H-SiC腐蚀参数的确定 | 第38-41页 |
| ·4H-SiC材料中缺陷的分析 | 第41-48页 |
| ·4H-SiC缺陷的腐蚀形貌与晶向的关系 | 第41-44页 |
| ·位错排腐蚀形貌的分析 | 第44-46页 |
| ·位错密度的分析 | 第46-48页 |
| ·腐蚀程度的不均匀性及其影响因素的分析 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 结束语 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 研究成果 | 第56-57页 |
