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场效应器件
一种基于曲率结扩展原理的衬底终端结构的研究
基于深槽调制CESL应变的MOS器件设计
使用LiNbO3作为栅介质层的高电子迁移率晶体管研制
高压C-SenseFET的温度特性与新结构
低/高介电常数聚合物双绝缘层场效应晶体管的研究
新型MOSFET和TFET器件的辐照可靠性研究
InAs/AlSb高电子迁移率晶体管及MIS-HEMT研究
高质量InAlGaN/GaN异质结材料及其器件研究
新型隧穿晶体管的结构设计与特性研究
氮化物半导体增强型HEMT器件与实现方法研究
GaAs MOSFET射频开关器件与电路的研究
AlGaN/GaN HEMT器件的制备研究
辐射剂量率效应对CMOS像感器工作性能的影响研究
PMOS FINFET关键技术研究
C类大功率MOSFET射频振荡器研究
氟基等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT的影响研究
AlGaN/GaN HEMT器件的特性仿真研究
SOI器件总剂量辐射效应及其背栅加固技术研究
太赫兹波段GaN基类HEMT平面耿氏二极管的研究
多栅场效应晶体管物理特性与器件仿真模型研究
SOI MOSFET单粒子效应电荷收集机制研究
高效大功率RF LDMOS性能测试的分析与研究
GaN基双异质结MOS HEMT器件高场可靠性及高温特性研究
二维SnO及Cu掺杂SnO半导体场效应晶体管的制备与特性研究
HfAlO/SiC MOS结构制备与特性研究
ZnO纳米场效应晶体管的制备和性能研究
EMCCD相机数模电路与系统的优化与测试
InAs/AlSb HEMT器件特性与工艺研究
高功率微波脉冲作用下LDMOS场效应管的电—热—应力可靠性研究
AlGaN/GaN HEMT高场退化的机理研究
碳纳米管场效应晶体管中电子输运的理论研究
基于非等温能量平衡模型的PHEMT热特性数值研究
集成电路栅介质TDDB失效预警电路设计
InP HBT器件单粒子效应研究
电场调制硅基和氮化镓基功率器件设计及建模
新型氮化物InGaN沟道异质结构与HEMT器件研究
原子层淀积La基高k介质材料的性能研究与应用特性研究
高速高精度CCD模拟前端电路的研究
GaAs pHEMT和GaN HEMT的高功率电磁效应及机理研究
MFIS型铁电场效应晶体管的电离辐射效应
含有InGaN的GaN增强型HEMT与双极型器件研究
Pt/HfO2堆叠结构电子功函数调控的第一性原理研究
MOS器件与石墨烯材料辐照效应的多尺度模拟研究
PBDFTDTBT有机场效应晶体管制备及光敏性研究
氧化锌纳米纤维沟道铁电场效应晶体管的制备及性能研究
脉冲Ⅰ-Ⅴ在微纳场效应晶体管中的测试方法及性能研究
GaN HEMT等离子体波非共振响应基础研究
规整性碳纳米管条纹沟道铁电场效应晶体管的制备与表征
InP基HEMT器件模型研究
FS-IGBT芯片的背面工艺研究
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