| 摘要 | 第5-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 传统GaN基HEMT器件的研究进展 | 第10-13页 |
| 1.1.1 GaN及其异质结材料的独特优势 | 第10-12页 |
| 1.1.2 传统GaN基异质结的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.2 增强型GaN器件的研究意义和进展 | 第13-15页 |
| 1.3 GaN基双极型器件的研究意义和进展 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的研究内容和工作安排 | 第17-20页 |
| 第二章 GaN基材料与器件理论研究 | 第20-30页 |
| 2.1 GaN基材料体系的极化特性 | 第20-24页 |
| 2.2 仿真软件Silvaco-ATLAS概述 | 第24-28页 |
| 2.2.1 漂移扩散模型 | 第25页 |
| 2.2.2 迁移率模型 | 第25-26页 |
| 2.2.3 产生复合模型 | 第26-27页 |
| 2.2.4 能带结构模型 | 第27页 |
| 2.2.5 界面电荷的定义 | 第27-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 含有InGaN的增强型HEMT仿真研究 | 第30-46页 |
| 3.1 GaN基HEMT器件的基本参数 | 第30-31页 |
| 3.2 带有InGaN帽层的增强型GaN HEMT器件仿真 | 第31-39页 |
| 3.2.1 InGaN帽层结构的原理 | 第31-35页 |
| 3.2.2 InGaN帽层中In组分变化的作用 | 第35-37页 |
| 3.2.3 InGaN帽层厚度对于器件特性的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 凹槽型InGaN/AlGaN/GaN的研究 | 第39-44页 |
| 3.3.1 凹槽型InGaN/AlGaN/GaN器件的实现原理 | 第39-42页 |
| 3.3.2 InGaN凹槽厚度的优化分析 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 含有InGaN的双极型晶体管 | 第46-60页 |
| 4.1 BJT器件的工作原理 | 第46-47页 |
| 4.2 GaN/InGaN型HBT | 第47-52页 |
| 4.2.1 本次研究的GaN/InGaN HBT的具体结构 | 第47-48页 |
| 4.2.2 发射结组分渐变的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.3 基区组分缓变的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.4 基区宽度的影响 | 第51-52页 |
| 4.3 横向结构GaN双极型晶体管设计 | 第52-57页 |
| 4.3.1 本次仿真的双极型晶体管结构分析 | 第52-54页 |
| 4.3.2 双异质结发射区的电流特性 | 第54-55页 |
| 4.3.3 发射结Al组分对器件性能的影响 | 第55-57页 |
| 4.3.4 基区宽度对器件特性的影响 | 第57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-60页 |
| 第五章 总结 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第70页 |
