| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-10页 |
| 1.1 课题的研究背景 | 第6-7页 |
| 1.2 high-k介质在SiC功率MOSFET中应用的研究现状及存在问题 | 第7-8页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第8-10页 |
| 第二章 SiC MOS电容与界面特性分析 | 第10-18页 |
| 2.1 SiC MOS电容特性分析 | 第10-13页 |
| 2.1.1 SiC MOS电容的C-V特性 | 第10-11页 |
| 2.1.2 MOS系统中电荷的构成 | 第11-13页 |
| 2.2 界面态密度D_(it)的计算 | 第13-15页 |
| 2.3 边界陷阱密度N_(ot)的计算 | 第15-16页 |
| 2.4 本章小结 | 第16-18页 |
| 第三章 不同组分HfAIO/SiC MOS结构制备及特性分析 | 第18-38页 |
| 3.1 原子层淀积介绍 | 第18页 |
| 3.2 实验 | 第18-19页 |
| 3.3 椭偏仪测试 | 第19-23页 |
| 3.3.1 运用椭偏仪测量介质层厚度 | 第20-21页 |
| 3.3.2 运用椭偏仪计算介电常数 | 第21-23页 |
| 3.4 XPS测试与结果分析 | 第23-31页 |
| 3.4.1 XPS组分测量 | 第24-27页 |
| 3.4.2 XPS测量介质层/SiC带偏 | 第27-31页 |
| 3.5 C-V测试与分析 | 第31-35页 |
| 3.5.1 界面态密度(D_(it)) | 第32-34页 |
| 3.5.2 边界陷阱密度(N_(ot)) | 第34-35页 |
| 3.6 本章小结 | 第35-38页 |
| 第四章 退火后HfAIO/SiC MOS结构特性分析 | 第38-50页 |
| 4.1 实验 | 第38-39页 |
| 4.2 退火前后表面质量对比 | 第39-41页 |
| 4.3 退火对样品C-V特性的影响 | 第41-43页 |
| 4.3.1 界面态分析 | 第41-43页 |
| 4.3.2 边界陷阱密度 | 第43页 |
| 4.4 退火前后组分的变化 | 第43-44页 |
| 4.5 退火后带偏的计算 | 第44-48页 |
| 4.6 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
