| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 按比例缩小尺寸的 CMOS 技术 | 第7-9页 |
| 1.2 硅基非传统 MOSFETS | 第9-11页 |
| 1.3 紧致 MOSFET 模型 | 第11-13页 |
| 1.4 本论文的内容安排 | 第13-14页 |
| 第二章 多栅场效应晶体管物理特性 | 第14-27页 |
| 2.1 非传统 MOSFETs 的特性 | 第14-16页 |
| 2.2 按比例缩小尺寸引起的短沟道问题 | 第16-22页 |
| 2.3 多栅器件的反型层电容 | 第22-26页 |
| 2.4 小结 | 第26-27页 |
| 第三章 长沟道双栅和环栅 MOSFETs 的 TCAD 仿真 | 第27-44页 |
| 3.1 TCAD 仿真工具介绍 | 第27-28页 |
| 3.2 双栅 MOSFETs 的 TCAD 仿真及分析 | 第28-37页 |
| 3.3 环栅 MOSFETs 的 TCAD 仿真及分析 | 第37-43页 |
| 3.4 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 沟道掺杂多栅 MOSFET 器件的统一模型 | 第44-56页 |
| 4.1 沟道掺杂对器件的影响 | 第44页 |
| 4.2 沟道掺杂双栅 MOSFET 器件的电势模型 | 第44-50页 |
| 4.3 沟道掺杂双栅 MOSFET 器件的电荷模型 | 第50-54页 |
| 4.4 沟道掺杂多栅 MOSFET 器件的统一模型 | 第54-55页 |
| 4.5 小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 附录1 非掺杂环栅的 Sivaco 仿真输入文件 | 第62-63页 |
| 附录2 沟道掺杂双栅建模的 matlab 代码 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
