| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第18-19页 |
| 缩略语对照表 | 第19-23页 |
| 第一章 绪论 | 第23-51页 |
| 1.1 研究背景 | 第23-29页 |
| 1.1.1 总剂量效应研究 | 第25-27页 |
| 1.1.2 单粒子效应研究 | 第27-29页 |
| 1.2 SOI MOSFET的辐照可靠性研究 | 第29-34页 |
| 1.2.1 SOI MOSFET器件的发展 | 第29-32页 |
| 1.2.2 SOIMOSFET器件的辐照可靠性研究 | 第32-34页 |
| 1.3 纳米级MOSFET的辐照可靠性研究 | 第34-37页 |
| 1.3.1 纳米级MOSFET器件的发展 | 第34-35页 |
| 1.3.2 纳米级MOSFET器件的辐照可靠性研究 | 第35-37页 |
| 1.4 隧穿场效应晶体管的可靠性研究 | 第37-48页 |
| 1.4.1 隧穿场效应晶体管的发展背景 | 第37-44页 |
| 1.4.2 隧穿场效应晶体管的几种典型可靠性研究 | 第44-47页 |
| 1.4.3 隧穿场效应晶体管的辐照效应可靠性研究 | 第47-48页 |
| 1.5 文章的主要研究目的和内容安排 | 第48-51页 |
| 1.5.1 研究思路 | 第48-49页 |
| 1.5.2 论文结构 | 第49-51页 |
| 第二章 H形栅PDSOI MOS器件总剂量效应研究 | 第51-75页 |
| 2.1 PDSOI NMOS器件阈值电压辐照损伤机理研究 | 第51-58页 |
| 2.1.1 实验方案 | 第51-53页 |
| 2.1.2 PDSOI器件不同辐照偏置下阈值电压失效模式 | 第53-58页 |
| 2.2 PDSOI NMOS器件剂量率效应的退化机理研究 | 第58-67页 |
| 2.2.1 PDSOI器件阈值电压的剂量率效应 | 第59-62页 |
| 2.2.2 PDSOI器件前栅输出特性的剂量率效应 | 第62-65页 |
| 2.2.3 不同辐照偏置条件下体电流的剂量率效应 | 第65-67页 |
| 2.3 辐照效应对PDSOI NMOS器件频率特性的影响 | 第67-72页 |
| 2.3.1 PDSOI器件前、背栅跨导的退化机理研究 | 第67-69页 |
| 2.3.2 PDSOI器件背栅跨导的剂量率效应 | 第69-70页 |
| 2.3.3 PDSOI器件输出特性的退化机理研究 | 第70-72页 |
| 2.4 本章小结 | 第72-75页 |
| 第三章 纳米级MOSFET器件的总剂量效应研究 | 第75-97页 |
| 3.1 Sentaurus TCAD仿真工具介绍 | 第76-78页 |
| 3.2 65nm MOS器件的总剂量效应仿真 | 第78-82页 |
| 3.2.1 器件仿真模型的建立 | 第78-80页 |
| 3.2.2 寄生结构对 65nm MOS器件总剂量效应的影响研究 | 第80-82页 |
| 3.3 65nm MOS器件总剂量辐照可靠性实验分析 | 第82-86页 |
| 3.3.1 实验方案 | 第82-83页 |
| 3.3.2 实验结果分析 | 第83-86页 |
| 3.4 敏感参数对 65nm MOS器件总剂量辐照效应影响研究 | 第86-95页 |
| 3.4.1 不同沟道宽长比对器件辐照失效模式的影响研究 | 第86-89页 |
| 3.4.2 halo掺杂与高k栅介质对器件辐照退化损伤的影响研究 | 第89-95页 |
| 3.5 本章小结 | 第95-97页 |
| 第四章 SOI MOS器件的单粒子翻转效应研究 | 第97-115页 |
| 4.1 基于H形栅PDSOI MOS器件 6T SRAM电路单粒子效应研究 | 第98-108页 |
| 4.1.1 3D-H形栅PDSOI MOS器件模型建立 | 第98-102页 |
| 4.1.2 基于PDSOI MOS器件 6T SRAM单粒子翻转效应研究 | 第102-105页 |
| 4.1.3 抗单粒子效应SOI MOS器件 6T SRAM电路加固设计 | 第105-108页 |
| 4.2 基于的PDSOI和FDSOI MOS器件单粒子翻转效应比较研究 | 第108-113页 |
| 4.2.1 SOI NMOS器件仿真模型 | 第108-110页 |
| 4.2.2 电路级仿真的建立和结果分析 | 第110-113页 |
| 4.3 本章小结 | 第113-115页 |
| 第五章 L形沟道TFET器件单粒子瞬态效应研究 | 第115-151页 |
| 5.1 栅向衬底嵌入结构TFET器件的电特性仿真研究 | 第117-129页 |
| 5.1.1 器件模型的参数设置 | 第117-118页 |
| 5.1.2 仿真物理模型 | 第118-120页 |
| 5.1.3 L形和U形沟道TFET电特性研究 | 第120-129页 |
| 5.2 LTFET器件单粒子效应仿真研究 | 第129-142页 |
| 5.2.1 器件建立仿真模型 | 第129-132页 |
| 5.2.2 单粒子效应仿真模型建立 | 第132-136页 |
| 5.2.3 LTFET的单粒子效应机制数值分析 | 第136-142页 |
| 5.3 不同因素对LTFET器件单粒子效应的影响研究 | 第142-148页 |
| 5.3.1 不漏极偏置对LTFET器件SEE表征参数的影响 | 第142-144页 |
| 5.3.2 重离子的入射位置对LTFET器件SEE表征参数的影响研究 | 第144-147页 |
| 5.3.3 离子入射深度对LTFET器件SEE表征参数的影响研究 | 第147-148页 |
| 5.4 本章小结 | 第148-151页 |
| 第六章 总结和展望 | 第151-155页 |
| 6.1 研究结论 | 第151-153页 |
| 6.2 展望 | 第153-155页 |
| 参考文献 | 第155-175页 |
| 致谢 | 第175-177页 |
| 作者简介 | 第177-179页 |
