| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 GaN HEMT 研究发展现状 | 第7-9页 |
| 1.1.1 GaN 微波功率器件的优势 | 第7-8页 |
| 1.1.2 AlGaN/GaN 异质结构的优势 | 第8-9页 |
| 1.1.3 AlGaN/GaN HEMT 器件的发展情况 | 第9页 |
| 1.2 GaN HEMT 失效机理研究进展 | 第9-14页 |
| 1.3 论文的思路和主要研究内容 | 第14-17页 |
| 1.3.1 研究思路 | 第14-15页 |
| 1.3.2 主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 GaN 基器件的相关研究基础 | 第17-27页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT 的工作原理及其制备 | 第17-20页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMT 的工作原理 | 第17-18页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN 的工艺制备 | 第18-20页 |
| 2.2 缺陷分析理论 | 第20-25页 |
| 2.2.1 缺陷的类型 | 第20页 |
| 2.2.2 失效分析技术 | 第20-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 在高场应力下的研究 | 第27-35页 |
| 3.1 漏步进应力下 AlGaN/GaN HEMT 的可靠性研究 | 第27-30页 |
| 3.1.1 试验样品及试验流程 | 第27-28页 |
| 3.1.2 漏步进应力可靠性实验结果及分析 | 第28-30页 |
| 3.2 恒定高场应力下 AlGaN/GaN HEMT 的可靠性研究 | 第30-34页 |
| 3.2.1 恒定电应力试验方案设计 | 第30页 |
| 3.2.2 恒定电应力可靠性实验结果及分析 | 第30-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 瞬态电流分析方法研究高场退化机理 | 第35-49页 |
| 4.1 瞬态电流分析方法的基本理论 | 第35-36页 |
| 4.2 高场应力下 AlGaN/GaN HEMT 的电压依赖性研究 | 第36-47页 |
| 4.2.1 试验方案设计 | 第36-38页 |
| 4.2.2 高场下电子被俘获行为的研究 | 第38-42页 |
| 4.2.3 高场下电子被释放行为的研究 | 第42-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 结论与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 论文研究结论和成果 | 第49-50页 |
| 5.2 论文创新点 | 第50页 |
| 5.3 展望 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 硕士期间研究成果 | 第59-60页 |
