| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第18-20页 |
| 缩略语对照表 | 第20-24页 |
| 第一章 绪论 | 第24-34页 |
| 1.1 GaN材料特性 | 第24-26页 |
| 1.2 AlGaN/GaN异质结物理 | 第26-29页 |
| 1.3 增强型AlGaN/GaNHEMT研究进展 | 第29-31页 |
| 1.4 本文的主要工作安排 | 第31-34页 |
| 第二章 GaN基增强型HEMT器件物理 | 第34-44页 |
| 2.1 AlGaN/GaNHEMT增强机理 | 第34-36页 |
| 2.2 增强型AlGaN/GaNHEMT实现方法 | 第36-42页 |
| 2.2.1 实现增强型器件的异质结生长工艺 | 第36-38页 |
| 2.2.2 实现增强型器件的器件制备工艺 | 第38-42页 |
| 2.3 四种增强型器件的优缺点 | 第42-44页 |
| 第三章 AlGaN/GaNHEMT器件与工艺 | 第44-58页 |
| 3.1 AlGaN/GaNHEMT工艺流程 | 第44-54页 |
| 3.2 等离子体设备与机理 | 第54-58页 |
| 第四章 氟注入增强型AlGaN/GaN双异质结HEMT研究 | 第58-84页 |
| 4.1 双异质结结构AlGaN/GaNHEMT背景 | 第58-60页 |
| 4.2 氟注入增强型HEMT条件探索 | 第60-63页 |
| 4.3 增强型AlGaN/GaN双异质结HEMT研究 | 第63-80页 |
| 4.3.1 AlGaN/GaN双异质结材料特性 | 第63-66页 |
| 4.3.2 增强型AlGaN/GaN双异质结HEMT直流特性 | 第66-70页 |
| 4.3.3 增强型AlGaN/GaN双异质结HEMT陷阱特性 | 第70-80页 |
| 4.4 增强型AlGaN/GaN双异质结HEMT的退火响应 | 第80-84页 |
| 第五章 AlGaN/GaN纳米沟道器件研究及增强型纳米沟道器件实现 | 第84-108页 |
| 5.1 AlGaN/GaN纳米沟道HEMT发展现状 | 第84-86页 |
| 5.2 纳米沟道刻蚀工艺探索 | 第86-89页 |
| 5.3 AlGaN/GaN纳米沟道HEMT阈值电压模型 | 第89-100页 |
| 5.4 增强型AlGaN/GaN纳米沟道HEMT制备及研究 | 第100-108页 |
| 5.4.1 AlGaN/GaN纳米沟道HEMT直流特性 | 第100-102页 |
| 5.4.2 AlGaN/GaN纳米沟道HEMT小信号特性 | 第102-106页 |
| 5.4.3 增强型AlGaN/GaN纳米沟道HEMT特性 | 第106-108页 |
| 第六章 新型凹栅结构增强型AlGaN/GaNHEMT研究 | 第108-136页 |
| 6.1 凹栅刻蚀与凹栅HEMT研究 | 第108-115页 |
| 6.2 O2等离子体处理HEMT研究 | 第115-119页 |
| 6.3 凹栅结合O2等离子体处理增强型AlGaN/GaNHEMT研究 | 第119-125页 |
| 6.4 凹栅全刻蚀增强型AlGaN/GaNHEMT研究 | 第125-131页 |
| 6.5 凹栅全刻蚀增强型AlGaN/GaNMIS-HEMT研究 | 第131-136页 |
| 第七章 新型增强型AlGaN/GaNHEMT实现及特性分析 | 第136-158页 |
| 7.1 ICP氟等离子体处理增强型AlGaN/GaNHEMT研究 | 第136-142页 |
| 7.2 氧等离子体处理增强型纳米沟道AlGaN/GaNHEMT研究 | 第142-149页 |
| 7.3 氟等离子体处理增强型纳米沟道AlGaN/GaNHEMT研究 | 第149-158页 |
| 第八章 总结与未来工作 | 第158-160页 |
| 8.1 本文总结 | 第158-159页 |
| 8.2 未来工作 | 第159-160页 |
| 参考文献 | 第160-170页 |
| 致谢 | 第170-172页 |
| 作者简介 | 第172-176页 |
