摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
符号对照表 | 第14-15页 |
缩略语对照表 | 第15-19页 |
第一章 绪论 | 第19-33页 |
1.1 器件与材料辐照效应的研究背景 | 第19-29页 |
1.1.1 辐射环境与辐照效应 | 第19-20页 |
1.1.2 入射粒子与物质的相互作用 | 第20-23页 |
1.1.3 相互作用对粒子运动的影响 | 第23-25页 |
1.1.4 相互作用对靶原子的影响 | 第25-29页 |
1.2 器件与材料辐照效应的研究现状 | 第29-30页 |
1.3 本文的主要工作与内容安排 | 第30-33页 |
第二章 数值模拟方法的理论原理和程序设置 | 第33-45页 |
2.1 蒙特卡罗方法模拟粒子输运过程 | 第33-40页 |
2.1.1 模拟方法的基本原理 | 第33-36页 |
2.1.2 模拟程序的相关设置 | 第36-40页 |
2.2 分子动力学模拟方法 | 第40-43页 |
2.2.1 模拟方法的基本原理 | 第40-43页 |
2.2.2 模拟程序的相关设置 | 第43页 |
2.3 本章小结 | 第43-45页 |
第三章 SOI器件与纳米级MOS器件辐照效应的模拟研究 | 第45-63页 |
3.1 中子在SOI器件中产生辐照损伤的机理研究 | 第45-47页 |
3.1.1 中子输运的物理模型和计算方法 | 第45-47页 |
3.1.2 次级粒子能量沉积的计算方法 | 第47页 |
3.1.3 PKA引起级联碰撞过程的物理模型 | 第47页 |
3.2 SOI器件中辐照损伤产生过程的研究 | 第47-54页 |
3.2.1 次级粒子的能量、空间和反射角分布 | 第47-51页 |
3.2.2 次级粒子在器件中的能量沉积 | 第51-54页 |
3.3 质子在纳米级MOS器件中产生辐照损伤的机理研究 | 第54-58页 |
3.3.1 质子在器件中输运的物理模型和计算方法 | 第54-55页 |
3.3.2 纳米级MOS器件中辐照损伤产生过程的研究 | 第55-58页 |
3.4 PKA引起级联碰撞的微观过程 | 第58-60页 |
3.5 本章小结 | 第60-63页 |
第四章 级联碰撞过程的分子动力学模拟 | 第63-81页 |
4.1 级联碰撞过程的模拟研究 | 第64-69页 |
4.1.1 建立模型 | 第64-65页 |
4.1.2 体系的能量最小化和弛豫 | 第65-66页 |
4.1.3 时间步长的设置 | 第66页 |
4.1.4 缺陷的识别方法 | 第66-67页 |
4.1.5 模拟结果和讨论 | 第67-69页 |
4.2 级联碰撞的影响因素 | 第69-78页 |
4.2.1 辐照温度 | 第69-72页 |
4.2.2 PKA入射能量 | 第72-74页 |
4.2.3 PKA入射方向 | 第74-76页 |
4.2.4 入射粒子种类 | 第76-78页 |
4.3 模拟级联碰撞过程的不同方法之间的比较 | 第78-79页 |
4.4 本章小结 | 第79-81页 |
第五章 快重离子辐照效应的分子动力学模拟 | 第81-99页 |
5.1 BLG材料的快重离子辐照效应研究 | 第81-90页 |
5.1.1 模拟方法 | 第82-83页 |
5.1.2 潜径迹尺寸和结构的定性描述 | 第83-85页 |
5.1.3 潜径迹尺寸和结构的定量描述 | 第85-87页 |
5.1.4 薄层石墨的快重离子辐照效应 | 第87-90页 |
5.2 a-SiO_2薄膜的快重离子辐照效应 | 第90-97页 |
5.2.1 模拟方法 | 第90页 |
5.2.2 潜径迹的尺寸和结构 | 第90-92页 |
5.2.3 潜径迹形成的动力学研究 | 第92-96页 |
5.2.4 全周期条件下a-Si O2薄膜的快重离子辐照效应 | 第96-97页 |
5.3 本章小结 | 第97-99页 |
第六章 石墨烯材料快重离子辐照效应的多尺度模拟 | 第99-117页 |
6.1 快重离子辐照效应的蒙特卡罗模拟 | 第99-102页 |
6.1.1 电子能损与离子能量的关系 | 第99-100页 |
6.1.2 激发电子的能量沉积 | 第100-102页 |
6.2 SLG材料的快重离子辐照效应 | 第102-115页 |
6.2.1 建立模型 | 第102-103页 |
6.2.2 电离能损对辐照损伤的影响 | 第103-106页 |
6.2.3 SLG材料的潜径迹形成过程研究 | 第106-109页 |
6.2.4 BLG材料和三层石墨烯材料的快重离子辐照效应 | 第109-115页 |
6.3 本章小结 | 第115-117页 |
第七章 结论和展望 | 第117-121页 |
7.1 研究结论 | 第117-118页 |
7.2 研究展望 | 第118-121页 |
参考文献 | 第121-133页 |
致谢 | 第133-135页 |
作者简介 | 第135-136页 |