| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 场效应晶体管介绍 | 第8-12页 |
| 1.2.1 场效应晶体管基本结构及工作原理 | 第9-10页 |
| 1.2.2 场效应晶体管 I-V 特性曲线 | 第10-11页 |
| 1.2.3 场效应晶体管的性能参数 | 第11-12页 |
| 1.3 脉冲测试介绍 | 第12-16页 |
| 1.3.1 脉冲测试原理及优势 | 第12-14页 |
| 1.3.2 4200-SCS 脉冲测试模块介绍 | 第14-15页 |
| 1.3.3 脉冲测试的应用 | 第15-16页 |
| 1.4 论文选题意义 | 第16-18页 |
| 第2章 基于不同测试平台针对商业器件的脉冲测试 | 第18-29页 |
| 2.1 基于测试夹脉冲测试的场效应性能 | 第18-25页 |
| 2.1.1 基于测试夹脉冲测试的线路连接 | 第18-19页 |
| 2.1.2 不同型号商业器件脉冲响应的结果讨论 | 第19-24页 |
| 2.1.3 脉冲宽度对脉冲测试的影响 | 第24-25页 |
| 2.2 基于探针台脉冲测试的场效应性能 | 第25-29页 |
| 2.2.1 基于探针台脉冲测试的线路连接 | 第25-27页 |
| 2.2.2 在探针台上对商业器件进行脉冲测试 | 第27-29页 |
| 第3章 微纳器件脉冲测试尝试 | 第29-41页 |
| 3.1 高 K 栅介质材料对场效应晶体管性能的影响 | 第29-30页 |
| 3.2 微纳器件阈值电压漂移 | 第30-33页 |
| 3.2.1 器件制备及其基本性能 | 第30-31页 |
| 3.2.2 阈值电压漂移测试 | 第31-32页 |
| 3.2.3 实验结果与讨论 | 第32-33页 |
| 3.3 微纳器件脉冲测试尝试 | 第33-41页 |
| 3.3.1 P 型微纳器件脉冲测试尝试 | 第33-36页 |
| 3.3.2 N 型微纳器件脉冲测试尝试 | 第36-39页 |
| 3.3.3 测试方式对微纳器件直流测试结果的影响 | 第39-41页 |
| 第4章 总结 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 致谢 | 第47页 |