新型隧穿晶体管的结构设计与特性研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第15-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-39页 |
| 1.1 引言 | 第21-27页 |
| 1.1.1 利用新型结构改善器件性能 | 第23-25页 |
| 1.1.2 利用新型材料改善器件性能 | 第25-26页 |
| 1.1.3 利用新型工作机理改善器件性能 | 第26-27页 |
| 1.2 MOSFET的物理极限 | 第27-31页 |
| 1.3 隧穿场效应晶体管的发展现状 | 第31-35页 |
| 1.3.1 TFET器件材料 | 第31-34页 |
| 1.3.2 TFET器件结构 | 第34-35页 |
| 1.4 研究内容概述和主要创新点 | 第35-36页 |
| 1.5 论文各部分内容安排 | 第36-39页 |
| 第二章 TFET器件原理与模型研究 | 第39-47页 |
| 2.1 带带隧穿基本原理 | 第39-40页 |
| 2.2 TFET基本工作原理 | 第40-42页 |
| 2.2.1 关态工作原理 | 第40-41页 |
| 2.2.2 开态工作原理 | 第41-42页 |
| 2.3 TFET物理模型与仿真软件简介 | 第42-45页 |
| 2.3.1 非局域模型基本原理 | 第42-44页 |
| 2.3.2 仿真软件介绍 | 第44-45页 |
| 2.4 本章总结 | 第45-47页 |
| 第三章 对称沟道U型栅隧穿晶体管 | 第47-71页 |
| 3.1 器件的基本结构及直流特性 | 第48-52页 |
| 3.1.1 三种隧穿晶体管的器件结构 | 第48-49页 |
| 3.1.2 对称沟道U型栅隧穿晶体管的器件结构 | 第49-50页 |
| 3.1.3 四种器件直流特性的横向对比 | 第50-52页 |
| 3.2 器件模型参数及工艺流程 | 第52-53页 |
| 3.2.1 器件模型参数 | 第52页 |
| 3.2.2 器件基本工艺流程 | 第52-53页 |
| 3.3 器件工作机理及物理机制分析 | 第53-56页 |
| 3.3.1 器件电流通路 | 第53-54页 |
| 3.3.2 能带分析 | 第54-56页 |
| 3.4 工艺条件对器件性能的影响 | 第56-65页 |
| 3.4.1 掺杂对器件性能的影响分析 | 第56-61页 |
| 3.4.2 几何尺寸对器件性能的影响分析 | 第61-65页 |
| 3.5 工作电压对器件的影响分析 | 第65-68页 |
| 3.6 器件可靠性及工艺可行性分析 | 第68-70页 |
| 3.7 本章总结 | 第70-71页 |
| 第四章 两种具有双向电流通路隧穿晶体管的频率特性 | 第71-85页 |
| 4.1 器件结构与仿真模型 | 第71-73页 |
| 4.1.1 两种隧穿晶体管的器件结构 | 第71-72页 |
| 4.1.2 器件模型参数 | 第72-73页 |
| 4.2 器件的输入输出特性 | 第73-78页 |
| 4.2.1 输入特性分析 | 第73-75页 |
| 4.2.2 输出特性分析 | 第75-76页 |
| 4.2.3 器件的能带分析 | 第76-78页 |
| 4.3 器件的电容特性与频率特性 | 第78-82页 |
| 4.3.1 电容特性分析 | 第78-81页 |
| 4.3.2 频率特性分析 | 第81-82页 |
| 4.4 本章总结 | 第82-85页 |
| 第五章 具有双源结构的T型栅隧穿晶体管 | 第85-103页 |
| 5.1 器件的基本结构及直流特性 | 第86-89页 |
| 5.1.1 TGTFET的基本结构 | 第86-87页 |
| 5.1.2 器件模型参数 | 第87-88页 |
| 5.1.3 器件直流特性的横向对比 | 第88-89页 |
| 5.2 器件工作机理及工艺可行性分析 | 第89-91页 |
| 5.2.1 器件工作机理 | 第89-91页 |
| 5.2.2 器件工艺流程 | 第91页 |
| 5.3 N型重掺杂势垒层的影响 | 第91-93页 |
| 5.4 T型栅交叠区长度的影响 | 第93-95页 |
| 5.5 凹栅高度与沟道层厚度的影响 | 第95-97页 |
| 5.6 栅极介质的影响 | 第97-99页 |
| 5.7 漏端电压的影响 | 第99-101页 |
| 5.8 本章总结 | 第101-103页 |
| 第六章 三种凹栅隧穿晶体管的频率特性 | 第103-119页 |
| 6.1 器件结构与仿真模型 | 第103-105页 |
| 6.1.1 三种隧穿晶体管的器件结构 | 第103-105页 |
| 6.1.2 器件模型参数 | 第105页 |
| 6.2 输入输出特性分析 | 第105-111页 |
| 6.2.1 输入特性分析 | 第105-107页 |
| 6.2.2 输出特性分析 | 第107-109页 |
| 6.2.3 器件的能带分析 | 第109-111页 |
| 6.3 电容特性分析 | 第111-115页 |
| 6.4 频率特性分析 | 第115-116页 |
| 6.5 本章总结 | 第116-119页 |
| 第七章 总结 | 第119-123页 |
| 7.1 工作总结 | 第119-121页 |
| 7.2 未来展望 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-133页 |
| 致谢 | 第133-135页 |
| 作者简介 | 第135-137页 |
