| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 振荡器的发展历史 | 第10-13页 |
| 1.2 振荡器的发展趋势 | 第13-16页 |
| 1.2.1 振荡器大功率问题的提出 | 第14页 |
| 1.2.2 振荡器高效率问题的提出 | 第14-15页 |
| 1.2.3 振荡器幅度稳定问题的提出 | 第15-16页 |
| 1.3 研究背景及意义 | 第16页 |
| 1.4 论文的主要内容和工作安排 | 第16-17页 |
| 1.5 本章小结 | 第17-18页 |
| 2 C类MOSFET射频功率振荡器设计原理 | 第18-29页 |
| 2.1 振荡器的基本原理 | 第18-24页 |
| 2.1.1 振荡器理论模型 | 第18-19页 |
| 2.1.2 平衡条件 | 第19-21页 |
| 2.1.3 稳定条件 | 第21-23页 |
| 2.1.4 起振条件 | 第23-24页 |
| 2.2 LC谐振回路 | 第24-27页 |
| 2.2.1 LC谐振回路特性 | 第24-26页 |
| 2.2.2 谐振回路有载品质因数 | 第26-27页 |
| 2.3 自动稳幅电路原理 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 C类谐振功率放大器原理 | 第29-39页 |
| 3.1 谐振功率放大器基本工作原理 | 第29-34页 |
| 3.1.1 谐振功率放大器的结构和工作原理 | 第29-33页 |
| 3.1.2 谐振功率放大器中的能量关系 | 第33-34页 |
| 3.2 C类谐振功率放大器的动态特性分析 | 第34-38页 |
| 3.2.1 谐振功率放大器的工作状态 | 第35-36页 |
| 3.2.2 负载特性 | 第36-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 C类大功率射频振荡器的设计 | 第39-55页 |
| 4.1 射频功率MOSFET的选取及其参数性能介绍 | 第39-40页 |
| 4.2 振荡电路的设计 | 第40-51页 |
| 4.2.1 谐振网络拓扑结构的选取及参数计算 | 第40-43页 |
| 4.2.2 工作模式及偏置电路设计和参数计算 | 第43-47页 |
| 4.2.3 自稳幅电路设计及参数计算 | 第47-49页 |
| 4.2.4 振荡器总体电路 | 第49-51页 |
| 4.3 电容和电感的制作 | 第51-54页 |
| 4.3.1 谐振电容的选材和制作 | 第51-52页 |
| 4.3.2 电感的选材和制作 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 5 电路仿真分析及电路板调试分析 | 第55-70页 |
| 5.1 电路仿真结果和分析 | 第55-65页 |
| 5.1.1 低电压条件下电路参数仿真分析 | 第55-61页 |
| 5.1.2 高电压条件下电路参数仿真分析 | 第61-65页 |
| 5.2 电路板制作和调试分析 | 第65-69页 |
| 5.2.1 PCB板设计 | 第65-67页 |
| 5.2.2 电路调试 | 第67-68页 |
| 5.2.3 电路优化 | 第68-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 6 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 总结 | 第70页 |
| 6.2 展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 个人简历，在校期间发表的学术论文与研究成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 附录A 实物电路图及实验平台 | 第76-78页 |
| 附录B 高电压实验电路板 | 第78页 |