| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 GaN 基材料的应用 | 第8-9页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT 研究进展 | 第9-11页 |
| 1.3 AlGaN/GaN HEMT 面临的问题 | 第11页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第11-14页 |
| 第2章 AlGaN/GaN HEMT 材料性质及工作原理 | 第14-22页 |
| 2.1 晶格结构 | 第14-15页 |
| 2.2 材料特性 | 第15-16页 |
| 2.3 极化效应 | 第16-18页 |
| 2.3.1 压电极化 | 第16-17页 |
| 2.3.2 自发极化 | 第17-18页 |
| 2.4 材料生长 | 第18-19页 |
| 2.4.1 生长衬底 | 第18页 |
| 2.4.2 外延工艺 | 第18-19页 |
| 2.5 AlGaN/GaN HEMT 工作原理 | 第19-21页 |
| 2.5.1 AlGaN/GaN 异质结 | 第19-20页 |
| 2.5.2 AlGaN/GaN HEMT 工作原理 | 第20-21页 |
| 2.6 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 AlGaN/GaN HEMT 关键工艺研究 | 第22-42页 |
| 3.1 ICP 刻蚀隔离有源区的研究 | 第22-23页 |
| 3.2 欧姆接触研究 | 第23-36页 |
| 3.2.1 欧姆接触测试方法 | 第24-26页 |
| 3.2.2 退火条件对欧姆接触的影响 | 第26-29页 |
| 3.2.3 电极组分对表面形貌的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.4 多层金属的欧姆接触研究 | 第31-34页 |
| 3.2.5 纵向接触孔欧姆接触结构研究 | 第34-36页 |
| 3.3 栅极 | 第36-40页 |
| 3.3.1 表面处理和离子注入对肖特基特性的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.2 钝化对肖特基接触的影响 | 第37页 |
| 3.3.3 不同金属栅极的肖特基接触研究 | 第37-39页 |
| 3.3.4 栅极热退火对器件影响的研究 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 AlGaN/GaN HEMT 工艺制备和性能优化 | 第42-56页 |
| 4.1 AlGaN/GaN HEMT 器件工艺介绍 | 第42-47页 |
| 4.2 版图研究和设计 | 第47-48页 |
| 4.3 AlGaN/GaN HEMT 的器件制备 | 第48-52页 |
| 4.4 器件优化 | 第52-54页 |
| 4.4.1 栅极长度器件优化特性研究 | 第52-53页 |
| 4.4.2 纵向接触孔结构器件特性研究 | 第53-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
