| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 IGBT工艺的发展概述 | 第8-12页 |
| 1.2 IGBT背面工艺的研究现状及意义 | 第12-14页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第14-16页 |
| 2 FS-IGBT的结构与工艺分析 | 第16-26页 |
| 2.1 结构特点和工作原理 | 第16-18页 |
| 2.1.1 结构特点 | 第16-17页 |
| 2.1.2 工作原理 | 第17-18页 |
| 2.2 工艺流程分析 | 第18-21页 |
| 2.3 背面关键工艺 | 第21-25页 |
| 2.3.1 nFS层的形成 | 第22-24页 |
| 2.3.2 P+透明集电区的制备 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 FS-IGBT工艺仿真与实验 | 第26-46页 |
| 3.1 仿真软件介绍 | 第26-28页 |
| 3.1.1 Sentaurus-TCAD软件及仿真模型介绍 | 第26-28页 |
| 3.1.2 SRIM软件介绍 | 第28页 |
| 3.2 FS-IGBT工艺仿真 | 第28-39页 |
| 3.2.1 结构参数 | 第28-29页 |
| 3.2.2 关键工艺分析 | 第29页 |
| 3.2.3 工艺仿真及结果分析 | 第29-39页 |
| 3.3 工艺实验及结果分析 | 第39-44页 |
| 3.3.1 nFS层工艺实验及结果分析 | 第39-40页 |
| 3.3.2 透明集电区工艺实验及结果分析 | 第40-44页 |
| 3.4 硼扩散实验中遇到的问题及解决方案 | 第44-45页 |
| 3.4.1 硅片的腐蚀 | 第44-45页 |
| 3.4.2 涂源的均匀性 | 第45页 |
| 3.5 小结 | 第45-46页 |
| 4 H~+注入实现FS层掺杂 | 第46-56页 |
| 4.1 H~+注入引起的缺陷与浓度分布 | 第46-49页 |
| 4.1.1 H~+注入引起的缺陷分析 | 第46-47页 |
| 4.1.2 HTD浓度分布与缺陷之间的关系 | 第47-49页 |
| 4.2 H~+注入解析模型的建立与仿真分析 | 第49-51页 |
| 4.2.1 H~+注入解析模型的建立 | 第49-51页 |
| 4.2.2 仿真结果及其分析 | 第51页 |
| 4.3 H~+注入模型的验证 | 第51-54页 |
| 4.3.1 H~+注入剂量对掺杂峰值浓度的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.2 退火温度对掺杂浓度分布的影响 | 第52-54页 |
| 4.4 整体工艺方案 | 第54-55页 |
| 4.5 小结 | 第55-56页 |
| 5 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 附录: 攻读硕士期间发表的论文 | 第61页 |