高功率微波脉冲作用下LDMOS场效应管的电—热—应力可靠性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 半导体器件模拟技术发展 | 第12-13页 |
| 1.3 经典半导体器件 | 第13-14页 |
| 1.4 研究的创新性及内容安排 | 第14-16页 |
| 第2章 半导体器件 | 第16-25页 |
| 2.1 能带理论 | 第16页 |
| 2.2 金属-氧化物-半导体 | 第16-20页 |
| 2.2.1 载流子的漂移和扩散 | 第17-19页 |
| 2.2.2 过剩载流子的产生复合与输运 | 第19页 |
| 2.2.3 金属半导体接触 | 第19-20页 |
| 2.3 漂移-扩散模型 | 第20-21页 |
| 2.4 电子器件传热学 | 第21-22页 |
| 2.5 热应力 | 第22-23页 |
| 2.6 热场与力场参数 | 第23-24页 |
| 2.7 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 半导体器件数值模拟 | 第25-31页 |
| 3.1 有限单元法 | 第25-28页 |
| 3.1.1 高斯积分 | 第25-26页 |
| 3.1.2 单元函数 | 第26-27页 |
| 3.1.3 等参数变换 | 第27-28页 |
| 3.2 半导体器件仿真 | 第28页 |
| 3.3 电热耦合与应力场分析 | 第28-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第4章 器件级结构建模与仿真 | 第31-51页 |
| 4.1 高功率微波注入实验 | 第31-35页 |
| 4.2 器件切片结构建模 | 第35-38页 |
| 4.3 电热力边界条件 | 第38-39页 |
| 4.4 电热力仿真结果 | 第39-49页 |
| 4.4.1 热场分布 | 第39-40页 |
| 4.4.2 应力场分布 | 第40-42页 |
| 4.4.3 单脉冲瞬时仿真 | 第42-47页 |
| 4.4.4 脉冲串瞬时仿真 | 第47-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第5章 解析推导与热管理 | 第51-68页 |
| 5.1 阈值功率解析推导 | 第51-54页 |
| 5.2 热应力解析分析 | 第54-59页 |
| 5.2.1 无源区热应力推导 | 第54-57页 |
| 5.2.2 数值解析对比 | 第57-59页 |
| 5.3 热力可靠性的提升方案 | 第59-67页 |
| 5.3.1 新型材料热管理 | 第59-60页 |
| 5.3.2 多层石墨烯器件模型 | 第60-61页 |
| 5.3.3 多层石墨烯解析推导 | 第61-64页 |
| 5.3.4 自适应逐点温度修正 | 第64-65页 |
| 5.3.5 器件热力可靠性的提升 | 第65-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第6章 总结与展望 | 第68-71页 |
| 6.1 结论 | 第68页 |
| 6.2 不足与展望 | 第68-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第78页 |
