| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 GaN 概论 | 第11-12页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT 概况 | 第12-15页 |
| 1.2.1 AlGaN/GaN HEMT 的应用优势 | 第12-14页 |
| 1.2.2 氟等离子体处理的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 本文的主要工作安排 | 第15-17页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 的制备工艺与 Silvaco 仿真简介 | 第17-25页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT 的制备工艺 | 第17-20页 |
| 2.2 氟等离子体对 AlGaN/GaN HEMT 的基本影响 | 第20-22页 |
| 2.2.1 氟等离子体对 AlGaN/GaN HEMT 阈值电压的影响 | 第20-21页 |
| 2.2.2 氟等离子体在 AlGaN/GaN HEMT 中的分布及对能带的影响 | 第21-22页 |
| 2.3 Silvaco 仿真软件简介 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 不同氟等离子体处理时间对 AlGaN/GaN HEMT 的影响 | 第25-43页 |
| 3.1 过刻蚀工艺研究背景 | 第25页 |
| 3.2 实验设计 | 第25-26页 |
| 3.3 正常刻蚀完成器件的直流特性 | 第26-29页 |
| 3.4 不同氟等离子体处理时间对器件特性的影响 | 第29-41页 |
| 3.4.1 不同氟等离子体处理时间对器件直流特性的影响 | 第29-32页 |
| 3.4.2 不同氟等离子体处理时间对器件肖特基特性的影响 | 第32-34页 |
| 3.4.3 不同氟等离子体处理时间对器件击穿特性的影响 | 第34-35页 |
| 3.4.4 对栅下进行氟等离子体处理器件的仿真 | 第35-38页 |
| 3.4.5 不同氟等离子体处理时间对器件脉冲特性的影响 | 第38-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 不同氟等离子体处理功率对 AlGaN/GaN HEMT 的影响 | 第43-57页 |
| 4.1 研究背景 | 第43页 |
| 4.2 实验设计 | 第43-44页 |
| 4.3 不同氟等离子体处理功率下器件的直流特性研究 | 第44-50页 |
| 4.3.1 不同氟等离子体处理功率下器件的输出特性对比 | 第44-48页 |
| 4.3.2 不同氟等离子体处理功率下器件的肖特基特性对比 | 第48-50页 |
| 4.4 不同氟等离子体处理功率下器件中的陷阱分析 | 第50-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 氟等离子体处理的 LDD HEMT 特性研究 | 第57-67页 |
| 5.1 LDD HEMT 仿真分析 | 第57-59页 |
| 5.2 LDD HEMT 设计 | 第59-61页 |
| 5.3 LDD HEMT 的直流特性研究 | 第61-62页 |
| 5.4 LDD HEMT 的击穿特性研究 | 第62-63页 |
| 5.5 LDD HEMT 的可靠性研究 | 第63-65页 |
| 5.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 研究成果 | 第77-78页 |
