InP基HEMT器件模型研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 前言 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外HEMT器件研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 国外发展现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 国内发展现状 | 第13-15页 |
| 1.3 器件模型发展现状 | 第15-17页 |
| 1.3.1 小信号模型发展现状 | 第15-16页 |
| 1.3.2 大信号模型发展现状 | 第16-17页 |
| 1.4 研究重点及研究内容 | 第17-19页 |
| 2 InP基HEMT器件基本原理 | 第19-28页 |
| 2.1 InP材料特性 | 第19-20页 |
| 2.2 器件基本工作原理 | 第20-23页 |
| 2.2.1 HEMT器件基本结构 | 第20-22页 |
| 2.2.2 异质结及二维电子气 | 第22-23页 |
| 2.3 InP基HEMT关键性能参数 | 第23-27页 |
| 2.3.1 跨导特性 | 第23-24页 |
| 2.3.2 电流增益截止频率(f_T) | 第24-25页 |
| 2.3.3 最高振荡频率(f_(max)) | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 小信号模型的构建 | 第28-47页 |
| 3.1 InP基HEMT样品 | 第28-30页 |
| 3.2 小信号等效拓扑结构 | 第30-33页 |
| 3.3 寄生参数的提取 | 第33-39页 |
| 3.3.1 寄生电容参数的提取 | 第33-36页 |
| 3.3.2 寄生电感和电阻参数提取 | 第36-39页 |
| 3.4 本征参数的提取 | 第39-42页 |
| 3.5 InP基HEMT小信号模型验证 | 第42-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 大信号模型分析 | 第47-72页 |
| 4.1 常见的大信号模型拓扑 | 第47-55页 |
| 4.1.1 Curtice模型 | 第48-50页 |
| 4.1.2 Curtice立方模型 | 第50-51页 |
| 4.1.3 Materka模型 | 第51页 |
| 4.1.4 Statz模型 | 第51-53页 |
| 4.1.5 TriQuint模型 | 第53页 |
| 4.1.6 Angelov模型 | 第53-55页 |
| 4.1.7 EEHEMT模型 | 第55页 |
| 4.2 大信号模型的构建和验证 | 第55-68页 |
| 4.2.1 肖特基二极管参数的提取 | 第56-57页 |
| 4.2.2 直流参数的提取 | 第57-63页 |
| 4.2.3 交流参数的提取 | 第63-67页 |
| 4.2.4 频散效应 | 第67-68页 |
| 4.3 EEHEMT模型的优化和验证 | 第68-69页 |
| 4.4 基于EEHEMT的改进模型 | 第69-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 5 总结及展望 | 第72-74页 |
| 5.1 总结 | 第72页 |
| 5.2 展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 个人简历、在校期间发表的学术论文与研究成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
