| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第15-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-34页 |
| 1.1 Sb基化合物半导体材料特性及生长技术 | 第22-26页 |
| 1.2 InAs/AlSb异质结材料优势 | 第26-28页 |
| 1.3 InAs/AlSbHEMT器件的研究进展 | 第28-30页 |
| 1.4 本文研究内容和安排 | 第30-34页 |
| 第二章 HEMT器件基础理论 | 第34-54页 |
| 2.1 半导体异质结 | 第34-35页 |
| 2.2 调制掺杂和 2DEG | 第35-40页 |
| 2.2.1 调制掺杂 | 第35-37页 |
| 2.2.2 二维电子气量子化 | 第37-39页 |
| 2.2.3 势阱中的二维电子气面密度 | 第39-40页 |
| 2.3 金属半导体界面 | 第40-44页 |
| 2.3.1 欧姆接触 | 第40-41页 |
| 2.3.2 肖特基接触 | 第41-43页 |
| 2.3.3 费米能级钉扎效应 | 第43-44页 |
| 2.4 InAs/AlSbHEMT器件工作原理 | 第44-49页 |
| 2.4.1 HEMT器件直流特性 | 第44-48页 |
| 2.4.2 HEMT器件交流特性 | 第48-49页 |
| 2.5 HEMT器件中容易出现的问题 | 第49-52页 |
| 2.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 InAs/AlSbHEMT器件二维物理仿真 | 第54-74页 |
| 3.1 器件物理模型 | 第54-57页 |
| 3.1.1 流体动力学模型 | 第55-56页 |
| 3.1.2 电场迁移率模型 | 第56页 |
| 3.1.3 （肖特基）电子隧穿模型 | 第56页 |
| 3.1.4 碰撞离化模型 | 第56-57页 |
| 3.2 单 δ 掺杂和双 δ 掺杂外延结构的器件性能比较 | 第57-64页 |
| 3.2.1 外延结构和器件模型构建 | 第58-60页 |
| 3.2.2 掺杂对器件性能的影响 | 第60-64页 |
| 3.3 碰撞离化对器件性能的影响 | 第64-66页 |
| 3.4 HEMT器件低温特性研究 | 第66-72页 |
| 3.4.1 器件模型设定 | 第66-68页 |
| 3.4.2 温度变化对器件性能影响 | 第68-72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-74页 |
| 第四章 InAs/AlSbHEMT器件外延材料的生长 | 第74-90页 |
| 4.1 晶格匹配材料和赝配材料 | 第74-77页 |
| 4.2 分子束外延生长MBE | 第77-78页 |
| 4.3 InAs/AlSbHEMT器件的外延结构设计 | 第78-79页 |
| 4.4 InAs/AlSbHEMT外延材料生长 | 第79-82页 |
| 4.4.1 In Sb界面和Al Sb界面 | 第80-81页 |
| 4.4.2 InAs/AlSbHEMT器件材料生长 | 第81-82页 |
| 4.5 InAs/AlSbHEMT器件外延结构的表征 | 第82-88页 |
| 4.5.1 霍尔Hall测试 | 第82-84页 |
| 4.5.2 AFM测试 | 第84-87页 |
| 4.5.3 XRD测试 | 第87-88页 |
| 4.6 本章小结 | 第88-90页 |
| 第五章 InAs/AlSbHEMT器件制作 | 第90-112页 |
| 5.1 InAs/AlSbHEMT器件制造流程图 | 第90-92页 |
| 5.2 欧姆接触 | 第92-100页 |
| 5.2.1 源漏寄生电阻对HEMT器件的影响 | 第93-95页 |
| 5.2.2 TLM模型 | 第95-97页 |
| 5.2.3 合金 | 第97-98页 |
| 5.2.4 非合金 | 第98-100页 |
| 5.3 台面隔离 | 第100-105页 |
| 5.3.1 湿法台面隔离 | 第101-103页 |
| 5.3.2 干法台面隔离 | 第103-105页 |
| 5.4 肖特基接触 | 第105-108页 |
| 5.4.1 栅槽形成 | 第106-108页 |
| 5.4.2 淀积金属 | 第108页 |
| 5.5 InAs/AlSbHEMT性能测试 | 第108-111页 |
| 5.6 本章小结 | 第111-112页 |
| 第六章 InAs/Al Sb MIS HEMT研究 | 第112-132页 |
| 6.1 InAs/Al Sb MIS HEMT仿真 | 第112-115页 |
| 6.1.1 InAs/Al Sb MIS-HEMT器件直流特性 | 第112-115页 |
| 6.1.2 InAs/Al Sb MIS-HEMT器件交流特性 | 第115页 |
| 6.2 high-k/InAlAs MOS研究 | 第115-129页 |
| 6.2.1 MOS电容制作工艺 | 第115-118页 |
| 6.2.2 Al_2O_3和HfO_2淀积到InAlAs形成MOS | 第118-122页 |
| 6.2.3 HfO_2/Al_2O_3淀积到InAlAs形成MOS | 第122-125页 |
| 6.2.4 HfAlO淀积到InAlAs形成MOS | 第125-129页 |
| 6.3 本章小结 | 第129-132页 |
| 第七章 总结与展望 | 第132-136页 |
| 7.1 论文总结 | 第132-134页 |
| 7.2 展望 | 第134-136页 |
| 参考文献 | 第136-146页 |
| 致谢 | 第146-148页 |
| 作者简介 | 第148-150页 |
