| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 1 引言 | 第12-20页 |
| 1.1 有机场效应晶体管的研究背景 | 第12-17页 |
| 1.2 绝缘层对有机场效应晶体管性能的影响 | 第17-19页 |
| 1.3 本文工作 | 第19-20页 |
| 2 有机场效应晶体管简介 | 第20-29页 |
| 2.1 有机场效应晶体管基本结构 | 第20-21页 |
| 2.2 有机场效应晶体管的制备 | 第21-23页 |
| 2.3 有机场效应晶体管工作机理 | 第23-25页 |
| 2.4 有机场效应晶体管的基本参数 | 第25-29页 |
| 2.4.1 阈值电压 | 第27页 |
| 2.4.2 器件迁移率 | 第27-28页 |
| 2.4.3 电流开关比 | 第28页 |
| 2.4.4 亚阈值斜率 | 第28-29页 |
| 3 CL-PVP/PVA双绝缘层对P3HT器件性能的影响 | 第29-43页 |
| 3.1 实验 | 第29-32页 |
| 3.1.1 材料的选取和配制 | 第29-30页 |
| 3.1.2 P3HT器件的制备 | 第30-31页 |
| 3.1.3 薄膜及晶体管器件的测试 | 第31-32页 |
| 3.2 结果及讨论 | 第32-42页 |
| 3.3 小结 | 第42-43页 |
| 4 CL-PMMA/PVA双层绝缘层对P3HT器件性能的影响 | 第43-53页 |
| 4.1 实验 | 第43-45页 |
| 4.1.1 材料的选取和配制 | 第43-44页 |
| 4.1.2 P3HT器件的制备 | 第44-45页 |
| 4.1.3 薄膜和器件的测试 | 第45页 |
| 4.2 结果和分析 | 第45-53页 |
| 4.3 小结 | 第53页 |
| 5 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 作者简历 | 第59-61页 |
| 学位论文数据集 | 第61页 |